发明名称 制造相位移动罩之方法
摘要 为了制造供超细图型形成用之相位移动罩,侧壁相位罩在空间频率调变式相位移动罩之每一相移薄膜之两侧形成。因此,在相位移动薄膜之末端部份发生之光强度即成为桥接型薄膜之形成因数者,乃由上述侧壁相移薄膜降低之。
申请公布号 TW240323 申请公布日期 1995.02.11
申请号 TW081100088 申请日期 1992.01.07
申请人 金星电子股份有限公司 发明人 琴殷
分类号 H01L21/00;H01L21/363 主分类号 H01L21/00
代理机构 代理人 陈长文 台北巿敦化北路二○一号七楼
主权项
地址 韩国