| 主权项 |
1.一种摧毁或抑制不要的细胞或组织生长之组成 物,其放 射敏感剂量之一种或一种以上选自下列之放射敏 化剂,包 括BPD,BPD-MA,其同等物,或共轭物,其可被选择地聚 积在该不要的细胞或组织中。2.如申请专利范围 第1项之组成物,其中放射敏化剂是如 图2所示之BPD-MA,且R1及R2独立选自烷酯基或氢基。3 .如申请专利范围第2项之组成物,其中R1及R2选自- COOH 或-COOR,其中R是烷基,芳基,或经取代之芳基。4.如 申请专利范围第3项之组成物,其中R是烷基且选自 甲 基,正己基,2-甲基戊基,第三丁基,正丙基,或苯基, 或烷基磺醯基或经取代之芳基,苯基为1-3个独立选 自下 列之取代基所取代,包括卤,低碳烷基,或低碳烷氧 基。5.如申请专利范围第2项之组成物,其中R1及R2 是烷酯基 。6.如申请专利范围第5项之组成物,其中R2选自甲 酯基及 乙酯基。7.如申请专利范围第1项之组成物,其系用 于一种方法包 括如下步骤:施用一种或一种以上放射敏化剂以放 射敏化 不要的细胞或组织,及以电离化放射照射这些细胞 或组织 。8.如申请专利范围第1项之组成物,其系用于放射 照射后 抑制不要的细胞之恢复。9.如申请专利范围第8项 之组成物,其中放射敏化剂是BPD -MA,如图2所示其中R1及R2独立选自烷酯基或氢基。 10.如申请专利范围第9项之组成物,其中R1及R2选自- COOH或-COOR,其中R是烷基,芳基,或经取代之芳基。11. 如申请专利范围第10项之组成物,其中R是烷基且选 自 甲基,正己基,2-甲基戊基,第三丁基,正丙基,或苯基 ,或烷基磺醯基或经取代之芳基,苯基为1-3个独立 自包 括卤,低碳烷基,或低碳烷氧基之取代基所取代。12 .如申请专利范围第9项之组成物,其中R1及R2为烷酯 基 。13.如申请专利范围第12项之组成物,其中R2选自 甲酯基 及乙酯基。14.一种活体外催毁体液中不要的细胞 之方法,此方法包 括以下步骤:活体外放射敏化这些不要的细胞,其 系藉由 施用一种或一种以上选自BPD,BPD-MA,其同等物或共 轭 物之放射敏化剂至体液中,自体内移出体液,并于 活体外 以电离化放射作用照射这些细胞或组织。15.如申 请专利范围第14项之方法,其中该放射敏化剂是 如图2所示之BPD-MA,且R1及R2独立选自烷酯基或氢基 。16.如申请专利范围第15项之方法,其中R1及R2选自 -COOH 或-COOR,其中R是烷基,芳基,或经取代之芳基。17.如 申请专利范围第16项之方法,其中R是烷基且选自甲 基,正己基,2-甲基戊基,第三丁基,正丙基,或苯基, 或烷基磺醯基或经取代之芳基,苯基为1-3个独立选 自下 列之取代基所取代,包括卤,低碳烷基,或低碳烷氧 基。18.如申请专利范围第15项之方法,其中R1及R2是 烷酯基 。19.如申请专利范围第18项之方法,其中R2选自甲 酯基及 乙酯基。20.如申请专利范围第14项之方法,其中体 液系以BPD |
