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Ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung (S1) mit einer beweglichen Einheit (20) umfaßt den Schritt des Bildens eines SOI-Substrats (10), das ein Halbleitersubstrat (11), eine isolierende Schicht (13) und eine Halbleiterschicht (12) derart umfaßt, daß die isolierende Schicht (13) zwischen der Halbleiterschicht (12) und dem Halbleitersubstrat (11) angeordnet ist. Das Verfahren umfaßt weiters einen Schritt des trockenen Ätzens der Halbleiterschicht (12), um einen Einschnitt (14, 14a, 14b) zu bilden, wobei verhindert wird, daß eine Ladung auf einer Oberfläche der isolierenden Schicht (13) aufgebaut wird, die während des trockenen Ätzens freiliegt. Das Verfahren umfaßt weiters einen Schritt des trockenen Ätzens einer seitlichen Wand, welche den Einschnitt (14, 14a, 14b) definiert, in einem Bereich benachbart zu einem Boden des Einschnittes (14, 14a, 14b), um die bewegliche Einheit (20) auszubilden. Das letztere trockene Ätzen wird durchgeführt, wobei eine Ladung auf der Oberfläche der isolierenden Schicht (13) derart aufgebaut wird, daß ätzende Ionen die seitliche Wand treffen, so daß sie den Bereich ätzen. |
