| 摘要 |
<p>Die vorliegende Erfindung schafft ein Herstellungsverfahren für einen Kontakt in einer Halbleiterstruktur, die ein Substrat (1) mit einem ersten und zweiten auf der Substratoberfläche vorgesehenen, ungefähr gleich hohen Strukturelement (GS1, GS2) aufweist, welche durch einen Zwischenraum mit einer kritischen lateralen Dimension voneinander beabstandet sind, mit den Schritten: Vorsehen eines aktiven Gebietes (60) im Substrat (1) zwischen den Strukturelementen (GS1, GS2); Erhöhen des aktiven Gebietes (60) durch selektives Aufwachsen von leitfähigem Substratmaterial (80); und Bilden des Kontakts (CB) auf dem erhöhten aktiven Gebiet. Die Erfindung schafft auch einen entsprechenden Kontakt.</p> |
