Verfahren, Steuerung und Vorrichtung zum Steuern des chemisch-mechanischen Polierens von Substraten

摘要

Ein Verfahren zur Steuerung für das CMP von Substraten und insbesondere für das CMP von Metalllisierungsebenen ist hierin offenbart. In einem linearen Modell des CMP-Prozesses wird die Erosion der zu behandelnden Metalllisierungsschicht durch die Poliernachlaufzeit und möglicherweise durch eine Endpolierzeit auf einem separaten Polierteller zum Polieren der dielektrischen Schicht bestimmt, wobei die dem CMP innewohnenden Eigenschaften durch Sensitivitätsparameter, die empirisch abgeleitet sind, repräsentiert werden. Ferner ist der Steuerungsvorgang so gestaltet, dass selbst mit einer gewissen Ungenauigkeit der Sensitivitätsparameter aufgrund subtiler Prozessänderungen ein gutmütiges Steuerreaktionsverhalten erreicht wird.