发明名称 以直接光气化作用制备特定胺基–1,3,5–三皝异氰酸酯及以异氰酸酯为基底之衍生物之方法
摘要 一种藉(至少参-未经取代胺基)-1,3,5- 三之直接光气化作用制备异氰酸酯与以异氰酸酯为基底之1,3,5-三衍生物之方法。
申请公布号 TW277060 申请公布日期 1996.06.01
申请号 TW084103909 申请日期 1995.04.20
申请人 氰特科技股份有限公司 发明人 大维.奇奈纳;威廉.艾力特.拜;威廉.法兰西司.杰克伯三世;雷.巴布.古塔
分类号 C07D251/40 主分类号 C07D251/40
代理机构 代理人 陈长文 台北巿敦化北路二○一号七楼
主权项 1. 一种藉将(i)胺基-1,3,5-三 与(ii)光气于反应系统中,于一温度,压力下接触且经一段足以产生异氰酸酯官能性1,3,5-三 衍生物与氯化氢之时间以制备异氰酸酯官能性衍生物之方法,其特征在于该胺基-1,3,5-三为(至少参-未经取代胺基)-1,3,5-三 ,且至少一部分氯化氢于当此氯化氢自(i)与(ii)之反应期间产生时系从反应系统去除。2. 根据申请专利范围第1项之方法,特征在于该(至少参-未经取代胺基)-1,3,5-三 系以下式表示:其中Z与Z@su1个别地选自-NH@ss2,与以下式表示之基团:其中A为n官能性固定物且n至少为2。3. 根据申请专利范围第2项之方法,特征在于该(至少参-未经取代胺基)-1,3,5-三 包含蜜胺或其寡聚物。4.根据申请专利范围第2项之方法,其特征在于该Z与Z@su1为-NH@ss2。5. 根据申请专利范围第1项之方法,其特征在于该(i)与(ii)之反应系于使氯化氢为气态而光气被回流之条件下进行。6. 根据申请专利范围第5项之方法,其特征在于(i)与(ii)反应系于高于氯化氢之临界温度而低于光气之临界温度之温度下进行。7. 根据申请专利范围第1项之方法,其特征在于将大部分氯化氢当此氯化氢于(i)与(ii)之反应期间产生时,自反应系统中去除。8. 根据申请专利范围第1项之方法,其特征在于该去除步骤(b)包含将氯化氢自反应系统中抽出。9. 根据申请专利范围第7项之方法,其特征在于以一惰性气体将氯化氢自反应系统中抽出。10. 根据申请专利范围第8项之方法,其特征在于该惰性气体为氦或氮气。11. 根据申请专利范围第1项之方法,其特征在于用于方法中(至少参-未经取代胺基)-1,3,5-三 与光气之相对量通常介于约1:3至约1:250(以重量计)之范围。12.一种制备(至少参-未经取代胺基)-1,3,5-三 之以异氰酸酯为基底衍生物之方法,其包含步骤:(a) 以根据申请专利范围第1-11项中任一项之方法制备胺基-1,3,5-三之异氰酸酯官能性衍生物;与(b) 将异氰酸酯-反应物料与如此制备得异氰酸酯官能性衍生物反应。(c) 根据申请专利范围第12项之方法,特征在于该异氰酸酯反应物料为含有活性氢之化合物,其系选自醇类,酚类, 类,氢草醯胺酸醚类,内醯胺类及其混合物。14. 根据申请专利范围第13项之方法,其特征在于该含有活性氢之化合物包含选自甲醇、乙醇、1-丙醇、2-丙醇、1-丁醇、2-丁醇、异丁醇、第三丁醇、戊醇、己醇、环己醇、庚醇、辛醇、乙基己基醇、苄醇、烯丙醇、氯乙醇、乙二醇、丙二醇、1,3-丙二醇、1,4-丁二醇、乙氧基乙醇、羟基乙氧基乙醇、1-甲氧基-2-丙醇及其混合物之醇。15. 根据申请专利范围第12项之方法,其特征在于该异氰
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