| 摘要 |
<p>L'invention porte sur une structure semi-conductrice et un schéma de formation d'un matériau amorphe sur un substrat semi-conducteur. Conformément à un mode de réalisation de l'invention, une structure semi-conductrice comprend un alliage amorphe formé d'au moins une partie d'un substrat semi-conducteur. Cet alliage semi-conducteur contient du nitrure d'aluminium (AIN) et du nitrure de gallium (GaN). Cet alliage amorphe peut être caractérisé par la formule suivante: AlxGa1-xN x étant une valeur supérieure à zéro et inférieure à un. Cet alliage amorphe peut également contenir du nitrure d'indium. Des proportions relatives d'aluminium et de gallium dans l'alliage de nitrure de gallium et d'aluminium amorphe sont contrôlée afin de former la bande interdite d'alliage amorphe.</p> |
