Transistorbasierter Sensor mit besonders ausgestalteter Gateelektrode zur hochempfindlichen Detektion von Analyten

摘要

Die Erfindung betrifft einen Sensor, umfassend ein Substrat, ein Source-Kontaktgebiet, ein Drain-Kontaktgebiet und ein Gateoxid eines Transistors, wobei zwischen dem Gateoxid und einer Detektionselektrode, welche aus einem elektrisch isolierenden Material besteht, eine Gateelektrode angeordnet ist. Hierdurch liegt eine Reihenschaltung zweier Kondensatoren vor. Die Kontaktfläche A¶sens¶ der Gateelektrode an die Detektionselektrode ist größer als die Kontaktfläche A¶gate¶ der Gateelektrode an das Gateoxid. DOLLAR A Dadurch ist gewährleistet, daß der Rezeptor sich auf technisch einfache Weise auf der Oberfläche der Detektionselektrode immobilisieren läßt. Über die kleine Kontaktfläche A¶gate¶ der Gateelektrode an den Transistor ist gleichzeitig eine hohe Nachweisempfindlichkeit für den Analyten gegeben. DOLLAR A Das Verfahren zum Nachweis wenigstens eines Analyten sieht vor, daß wenigstens ein Analyt zur Bildung einer Änderung der elektrischen Ladung an der Oberfläche der Detektionselektrode in Kontakt mit einem an der Detektionselektrode immobilisierten Rezeptor gebracht wird. Der Analyt wird über die Erfassung der Stromänderung am Transistor nachgewiesen.