| 摘要 |
<p>Beschrieben wird ein modulationsdotierter Feldeffekttransistor mit einer Kanalschicht (3), auf der eine, an die Kristallstruktur der Kanalschicht gitterangepaßte Barrierenschicht (4) aufgebracht ist, die aus einer Mischkristallstruktur zusammengesetzt ist und eine Dotierung aufweist. Insbesondere besteht die Pufferschicht (2) aus GaAs, die Kanalschicht (3) aus GaInAs und die Barrierenschicht (4) aus GaxIn1-xP. Die Erfindung zeichnet sich dadurch aus, daß das Verhältnis der Element-Zusammensetzung des Mischkristalls derart ortsabhängig ist, daß das Verhältnis wenigstens an einer Stelle innerhalb der Barrierenschicht (4) einen Extremwert aufweist. Insbesondere ist der Ga-Gehalt x des Mischkristalls innerhalb der Barrierenschicht (4) ortsabhängig und weist wenigstens einen Bereich auf, in dem x am größten ist.</p> |
