| 主权项 |
1.一种用于制造单晶组件的方法,包括的步骤有:制备单晶基板,形成晶种部分于该单晶基板表面上,以及将该晶种部分与含有给定元素的过饱和溶液接触,藉此,含有作为组成元素之给定元素的单晶,系由该晶种部分选择性地且向外延生地成长于该单晶基板表面之垂直方向上,因而制成单晶组件;其中该晶种部分系由窗所组成,该窗系藉由选择性地移除在单晶基板表面上所形成之非晶质膜,以便暴露出该单晶基板的部分表面而形成的。2.如申请专利范围第1项之用于制造单晶组件的方法,其中该窗为线型。3.如申请专利范围第2项之用于制造单晶组件的方法,其中在其成长期间形成该窗,以使得其长方向几乎垂直于单晶组件单一面的晶轴。4.如申请专利范围第1项之用于制造单晶组件的方法,其中该晶种组件系由形成于该单晶基板表面上的凸起部分所组成。5.如申请专利范围第4项之用于制造单晶组件的方法,其中该凸起部分为线状。6.如申请专利范围第5项之用于制造单晶组件的方法,其中在其成长期间形成该凸起部分,以使得其长方向几乎垂直于单晶组件单一面的晶轴。7.如申请专利范围第1-6项中任一项之用于制造单晶组件的方法,其中该选择性向外延生地成长系以移动式加热器法进行。8.如申请专利范围第1-6项中任一项之用于制造单晶组件的方法,其中该选择性向外延生地成长系以温度梯度冷却法进行。9.如申请专利范围第1-6项中任一项之用于制造单晶组件的方法,其中该单晶基板为矽单晶基板,且该单晶组成为矽单晶。10.如申请专利范围第1-6项中任一项之用于制造单晶组件的方法,其中该单晶基板之表面部分具有V-III族半导体化合物,且该单晶组件由V-III族半导体化合物所组成。11.如申请专利范围第1-6项中任一项之用于制造单晶组件的方法,其中该单晶基板之表面部分具有一个氧化物,且该单晶组件由氧化物所组成。图式简单说明:第1图系为表示根据本发明之单晶组件制法之较佳实施例中的第一个步骤的横剖面图,第2图系为表示在第1图之步骤后的次个步骤的横剖面图,第3图系为表示在第2图之步骤后的次个步骤的横剖面图,第4图系为表示在第3图之步骤后的次个步骤的横剖面图,第5图系为表示根据本发明之单晶组件制法之另一个较佳实施例中的第一个步骤的横剖面图,第6图系为表示在第5图之步骤后的次个步骤的横剖面图,以及第7图系为表示在第6图之步骤后的次个步骤的横剖面图。 |
