| 主权项 |
1.一种可将一要被显像而可定位于一物区中之物以粒子光学投影于一像区的透镜配置,乃包含:一第一聚焦透镜装置可提供一对显像粒子具有聚焦功能的作用场,来将该物由该物区投影于一中间像区;一第二聚焦透镜装置可提供对该显像粒子具有聚焦功能的另一作用场,来将已被投影于该中间像区之该物显像于该像区中;及一偏转透镜装置可提供一作用场,其对在该中间像区之一区域中的显像粒子具有偏转的功能。2.如申请专利范围第1项之透镜配置,其中该第一及/或第二聚焦透镜装置乃包含磁场及/或电场,其系对一束射束之中心射束形成轴向对称。3.如申请专利范围第1项之透镜配置,其中该第一及/或第二聚焦透镜装置乃包含二偶极及/或四极磁场及/或电场配置,其系对该显像粒子之一束射束的中心射束互呈轴向地分开。4.如申请专利范围第1项之透镜配置,其中该偏转透镜装置的作用场乃包含一磁场,其系对与该显像粒子之一束射束的中心射束接合延伸之一平面形成镜像对称。5.如申请专利范围第1项之透镜配置,其中该偏转透镜装置的作用场乃包含一偶极磁场及/或电场,其系被定向成横贯该显像粒子之一束射束的中心射束。6.如申请专利范围第1项之透镜配置,其中有一孔隙挡片被设在该第一聚焦透镜装置及/或第二聚焦透镜装置之一绕射平面中。7.如申请专利范围第1.2.3.4.5或6项之透镜配置,更包含一第一驱动装置可调整该偏转透镜装置之偏转作用场的强度,及一第二驱动装置可调整该第一聚焦透镜装置及/或第二聚焦透镜装置之聚焦作用场的强度,其中该第一驱动装置会按比率地依据一外部量値而来改变该偏转透镜装置的作用场强度,且该第二驱动装置会二次地依据该外部量値来分别改变该第一聚焦透镜装置与第二聚焦透镜装置的作用场强度。8.如申请专利范围第7项之透镜配置,其中该透镜配置系可将该物区之一次场区投影于该像区上,该次场区系以一可变距离来偏离该透镜配置的光轴,而该外部量値乃包含该次场区与该光轴的距离。9.如申请专利范围第8项之透镜配置,其中该偏转透镜装置的作用场会以大致相等的角度来偏转各对投影该次场区的粒子束之不同射束。10.如申请专利范围第8项之透镜配置,更含有一照射装置可仅照射该物区的次场区,及一第三驱动装置可驱动该照射装置以使该被照射之次场区与该光轴的距离改变。11.如申请专利范围第8项之透镜配置,其中该像区与物区各具有预定的标定形状,该第二驱动装置会分别改变该第一与第二聚焦装置之偏转场的强度,而使该次场区之中央区域精准地投影于该像区上,且该第一驱动装置会改变该偏转透镜装置之偏转场的强度,而使该次场区的边缘部份亦能精准地投影于该像区上。12.如申请专利范围第11项之透镜配置,其中该物区的形状系呈一平面状。13.一种包含至少一光微影步骤之器件的制造方法,其中该光微影步骤乃包含利用申请专利范围第1至12项中任一项之透镜配置,来将由一罩幕所形成的图案移转至一粒子敏感基材上者,且该罩幕系被设在物区中,而该基材系被设在像区中。图式简单说明:第1图系示出习知技术之一透镜配置;第2图为本发明之一透镜配置的结构示意图,并示出一伸经其中的射束路径;第3a至3c图系示出第2图中之一偏转透镜装置之不同型式的线圈;第4a至4c图乃示出第2图中之该偏转透镜装置的电流感应绕组之不同的配置环绕在该铁环圆周上;第5图为另一通过第2图所示之该透镜配置的射束路径之示意图;第6图为靠近该透镜配置之一像区的第5图之部份放大图;及第7a至7c图示出数个本发明之透镜配置的像差消减作用之示意图。 |
