| 主权项 |
1.一种磁记录介质,其系为具有由基板与,该基板上所层合之多数层膜,且该多数的膜系具有记录资讯之磁性膜的磁记录介质,其中,前记基板与前记磁性膜间设置有含有结晶质之粒子与,包围该粒子之非结晶质粒界相的无机化合物膜,前记磁性膜系含有结晶质的磁性粒子,且前记磁性粒子之平均粒径为4至15nm,粒径之标准误差()系为前记平均粒径之0~25%之范围者。2.一种磁记录介质,其系为具有由基板与,该基板上所层合之多数层膜,且该多数的膜系具有记录资讯之磁性膜的磁记录介质,其中,前记基板与前记磁性膜间设置有含有结晶质之粒子与,包围该粒子之非结晶质粒界相的无机化合物膜,前记磁性膜系含有结晶质的磁性粒子与包围该结晶粒子之非结晶质之粒界相,且前记磁性粒子之平均粒径为4至15nm,粒径之标准误差()系为前记平均粒径之0~25%之范围者。3.一种磁记录介质,其系为具有由基板与,该基板上所层合之多数层膜,且该多数的膜系具有记录资讯之磁性膜的磁记录介质,其中,前记基板与前记磁性膜间设置有含有结晶质之粒子与,包围该粒子之非结晶质粒界相的无机化合物膜,前记磁性膜系由含有NaCl型或尖晶石型结晶构造之氧化物所构成之第1构成成分与,周期表第I至V族元素之氧化物、氮化物或硼化物所构成之第2构成成分所构成,前记粒子与前记粒界相,皆含有第1构成成分与第2构成成分,且前记粒子中中含有较前记粒界相更多之第1构成成分。4.如申请专利范围第3项之磁记录介质,其中,前记粒子系含有65至98wt%之第1构成成分,与35至2wt%之氧化物、氮化物或硼化物的第2构成成分;前记粒界相系含有50至90wt%之第1构成成分,与50至10wt%之氧化物、氮化物或硼化物的第2构成成分。5.如申请专利范围第3项之磁记录介质,其中,前记第1构成成分之NaCl型结晶构造之氧化物系为氧化钴(CoO)、氧化铁(Fe2O3)、氧化镁、氧化锰、氧化钛、氧化铜或氧化镍。6.如申请专利范围第3项之磁记录介质,其中,前记第1构成成分之尖晶石型结晶构造之氧化物系为氧化钴(Co3O4)、氧化铁(Fe3O4)。7.如申请专利范围第3项之磁记录介质,其中,前记粒子之平均粒径为4至15nm,粒径之标准误差()为前记平均粒径之0~25%之范围,前记粒子之短径/长径为0.7至1.0,粒界相之宽度为0.1至2nm之范围间。8.如申请专利范围第3项之磁记录介质,其中,前记磁性膜系为含Co之合金。9.如申请专利范围第3项之磁记录介质,其中,前记磁性膜系含有结晶质之磁性粒子与包围该磁性粒子之非晶质粒界相。10.如申请专利范围第3项之磁记录介质,其中,前记粒界相系含有周期表第I至V族元素之氧化物、氮化物或硼化物者。11.如申请专利范围第3项之磁记录介质,其中,于前记无机化合物膜与前记磁性膜之间系设置有中间膜,该中间膜系含有结晶质之中间膜粒子,该中间膜粒子之平均粒径为4至15nm,粒径之标准误()为前记平均粒径之0~25%之范围者。12.如申请专利范围第11项之磁记录介质,其中,前记中间膜系含有结晶质之前记中间膜粒子与,包围该中间膜粒子之非结晶质的粒界相。13.一种磁记录介质之制造方法,其系为于基板上层合多数层膜与,该多数的膜系具有记录资讯之磁性膜,且于前记基板与前记磁性膜之间系设置有无机化合物膜的磁记录介质的制造方法,其特征为,将具有NaCl型或尖晶石型结晶构造的氧化物所构成之第1标靶,与由周期表第I至V族之氧化物、氮化物、硼化物中所选出至之至少1种化合物所构成之第2标靶,同时进行溅镀以形成无机化合物膜者。14.一种磁记录介质之制造方法,其系为于基板上层合多数层膜与,该多数的膜系具有记录资讯之磁性膜,且于前记基板与前记磁性膜之间系设置有无机化合物膜的磁记录介质的制造方法,其特征为,将具有NaCl型或尖晶石型结晶构造的氧化物与,由周期表第I至V族之氧化物、氮化物、硼化物中所选出至之至少1种化合物混合所得之标靶进行溅镀以形成无机化合物膜者。15.一种磁记录介质之制造方法,其系为于基板上层合多数层膜与,该多数的膜系具有记录资讯之磁性膜,且于前记基板与前记磁性膜之间系设置有无机化合物膜的磁记录介质的制造方法,其特征为,将Cr、Ta、Nb中至少1种之元素,Co与Pt所构成之第1标靶,与由周期表第I至V族之氧化物、氮化物、硼化物中所选出至之至少1种化合物所构成之第2标靶,同时进行溅镀以形成磁性物膜者。16.一种磁记录介质之制造方法,其系为于基板上层合多数层膜与,该多数的膜系具有记录资讯之磁性膜,且于前记基板与前记磁性膜之间系设置有无机化合物膜的磁记录介质的制造方法,其特征为,将Cr、Ta、Nb中至少1种之元素,Co与Pt与,由周期表第I至V族之氧化物、氮化物、硼化物中所选出至之至少1种化合物所得的混合物作为标靶,并进行溅镀以形成磁性物膜者。17.一种磁记录装置,其特征系使用申请专利范围第1.2或3项之磁记录介质者。图式简单说明:图1为实施例1之磁记录介质的截面构造概略图。图2为无机化合物膜之代表性构造之TEM照片。图3为磁记录装置之概略构造的斜视图。图4为实施例4之磁记录介质构造之截面图。 |
