发明名称 微影术制程限制评估装置
摘要 本发明系关于一种微影术制程限制评估装置;于该微影术制程限制评估装置120内之布局图案作成部27,系使用解析用条件以及布局图案样板保持部22内所保存之资讯,而作成复数个设计布局图案。此外,模拟条件作成部,系使用解析用条件以及模拟条件样板保持部内所保存之资讯,而作成复数个模拟条件。模拟部17系使用所作成之条件,而作成复数个实际布局图案。因此,该微影术制程限制评估装置系可以减低作业负荷,并且,还能够提高精度。
申请公布号 TW556318 申请公布日期 2003.10.01
申请号 TW091119654 申请日期 2002.08.29
申请人 三菱电机股份有限公司 发明人 田冈弘展;中江彰宏
分类号 H01L21/82 主分类号 H01L21/82
代理机构 代理人 赖经臣 台北市松山区南京东路三段三四六号一一一二室
主权项 1.一种微影术制程限制评估装置,系由形成于罩幕上之设计布局图案来模拟半导体基板上之感光材内的光强度分布以及形成在前述半导体基板上之实际布局图案者,其特征在于包含:解析条件输入部,输入用以解析前述实际布局图案之解析条件;布局图案样板保持部,保存复数个设计布局图案样板;模拟条件样板保持部,保存复数个模拟条件样板;测定条件保持部,保存用以测定前述实际布局图案之复数个测定条件;布局图案作成部,选择设计用布局图案样板,根据前述解析条件和所选择之设计用布局图案样板而作成复数个设计布局图案;模拟条件作成部,选择模拟用条件样板,根据前述所输入之解析条件和所选择之模拟用条件样板而作成复数个模拟条件;模拟部,使用前述复数个设计布局图案和前述复数个模拟条件,来模拟转印在半导体基板上之感光材上的实际布局图案;测定条件决定部,根据前述解析条件而由前述复数个测定用条件中决定测定用条件;以及测定部,藉由前述所决定之测定条件来测定前述实际布局图案。2.如申请专利范围第1项之微影术制程限制评估装置,其中,前述微影术制程限制评估装置,系更包含使用前述所输入之解析条件和前述测定部之测定结果而解析前述实际布局图案的解析部。3.如申请专利范围第2项之微影术制程限制评估装置,其中,前述模拟部,系在根据前述所输入之解析条件而进行模拟前,使用既定之设计布局图案和既定之模拟条件来模拟测试用布局图案,前述测定部,系藉由既定之测定条件来测定前述测试用布局图案,前述解析部,系使用前述测定部之测定结果来决定基准光强度値。4.如申请专利范围第2项之微影术制程限制评估装置,其中,前述布局图案作成部,系包含:通常图案作成部,根据前述解析条件和前述所选择之设计用布局图案样板而作成复数个设计布局图案;以及修正图案作成部,对于前述复数个设计布局图案,进行光近接修正以作成复数个修正布局图案。5.如申请专利范围第4项之微影术制程限制评估装置,其中,前述修正图案作成部,系在各个设计布局图案上分别作成复数个修正布局图案,前述解析部,系根据前述解析条件而在前述各个设计布局图案上分别由前述复数个修正布局图案中选择1个修正布局图案。6.如申请专利范围第2项之微影术制程限制评估装置,其中,前述微影术制程限制评估装置,系更包含将由前述布局图案作成部所作成之设计布局图案之资料转换成为能够使用在制造装置上之资料的资料转换部。图式简单说明:图1系显示本发明实施形态1之微影术制程限制评估装置之构造的方块图。图2A系显示图1中之保持在布局图案样板保持部上之设计布局图案样板之一例的模式图。图2B系图2A之图案成为图形化的示意图。图3系显示电脑构造之概略方块图。图4系就本发明实施形态1之微影术制程限制评估装置之动作而进行显示的流程图。图5系藉由图4中之步骤S1而进行显示之解析条件输入画面的模式图。图6系输入后之解析输入画面的模式图。图7A系用以说明藉由图4中之步骤S4而作成之实际布局图案的模式图。图7B系显示对于图7A中之图案幅宽方向之光强度分布的示意图。图8系显示本发明实施形态2之微影术制程限制评估装置之构造的方块图。图9系就本发明实施形态2之微影术制程限制评估装置之动作而进行显示的流程图。图10系显示关于藉由图9中之步骤S6而得到解析结果之图形的示意图图11系显示关于藉由图9中之步骤S6而得到解析结果之图形之其他例子的示意图。图12A系显示在藉由图9中之步骤S6而得到之解析结果中关于聚焦深度之图形的示意图。图12B系显示设计用布局图案之图案幅宽和聚焦深度间之关系的示意图。图12C系显示设计用布局图案之图案幅宽、间距和聚焦深度间之关系的示意图。图13A系用以说明在藉由图9中之步骤S6而得到解析结果中设计用布局图案之图案幅宽之边缘移动的示意图。图13B系显示实际布局图案之图案幅宽对于设计用布局图案之图案幅宽之边缘移动量之变化的示意图。图14系显示实际布局图案对于曝光量变动量之图案幅宽的示意图。图15A系对于设计用布局图案进行模拟时之光学强度分布图。图15B系显示在发生凹窝状态下之布局图案的示意图。图16系显示本发明实施形态3之微影术制程限制评估装置之动作的流程图。图17系藉由图16中之步骤S1而进行显示之解析条件输入画面的模式图。图18系显示图16中之步骤S10之动作详细的流程图。图19系用以说明图18中之步骤S106之解析方法的示意图。图20A系显示实际布局图案相对于设计用布局图案的示意图。图20B系用以说明OPC的模式图。图21系显示本发明实施形态4之微影术制程限制评估装置之构造的方块图。图22系显示本发明实施形态4之微影术制程限制评估装置之动作的流程图。图23系就本发明实施形态5之微影术制程限制评估装置之动作而进行显示的流程图。图24系用以说明本发明实施形态5之设计用布局图案和修正用布局图案的示意图。图25系藉由图23中之步骤S1而进行显示之解析条件输入画面的模式图。图26系显示本发明实施形态6之微影术制程限制评估装置之构造的方块图。图27系显示习知微影术模拟装置之构造之方块图。图28系显示习知微影术模拟装置之动作之流程图。
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