| 主权项 |
1.一种清净业经含镧系氧化物粒子之浆液抛光过之玻璃基板之方法,该方法包含以下步骤:以含镧系氧化物粒子之浆液抛光玻璃基板;及将该经抛光且其上具镧系氧化物粒子之玻璃基板浸入含硝酸、过氧化氢及具羧酸基之有机酸之酸浴中,其中该浸入步骤系将该镧系氧化物粒子自该经抛光玻璃基板实质上溶解至酸浴中,由此而降低该经抛光玻璃基板上之镧系氧化物粒子之量。2.如申请专利范围第1项之方法,其中玻璃基板系铝矽酸玻璃。3.如申请专利范围第1项之方法,其中镧系氧化物粒子包括至少一种自以下所选出镧系元素之氧化物:镧,铈,镨,钕,钜,钐,铕,钆,铽,镝,钬,铒,铥,镱及镏。4.如申请专利范围第1项之方法,其中镧系氧化物粒子包括至少氧化镧与氧化铈之一种。5.如申请专利范围第1项之方法,其中玻璃基板系浸入温度为至少40℃之酸浴中。6.如申请专利范围第1项之方法,其中玻璃基板系浸入温度为55℃至70℃之酸浴中。7.如申请专利范围第1项之方法,其中酸浴中之硝酸为至少1N硝酸。8.如申请专利范围第1项之方法,其中酸浴中之硝酸为3N至4N硝酸。9.如申请专利范围第1项之方法,其中酸浴中之过氧化氢为至少0.15N过氧化氢。10.如申请专利范围第1项之方法,其中酸浴中之过氧化氢为0.15N至1N过氧化氢。11.如申请专利范围第1项之方法,其中有机酸为酒石酸,柠檬酸,乳酸,葡糖酸或乙底酸。12.如申请专利范围第1项之方法,其中酸浴包括至少0.0067M有机酸。13.如申请专利范围第1项之方法,其中酸浴包括0.02至0.04M有机酸。14.如申请专利范围第1项之方法,其中酸浴包括至少0.0067M酒石酸。15.如申请专利范围第1项之方法,其中酸浴包括0.02至0.04M酒石酸。16.如申请专利范围第1项之方法,其中酸浴进一步包括0.03至0.15体积%之界面活性剂。17.如申请专利范围第16项之方法,其中酸浴包括0.1体积%之界面活性剂。18.如申请专利范围第1项之方法,其中酸浴进一步包括多达1N硫酸。19.如申请专利范围第1项之方法,其中酸浴进一步包括多达40克/升硼酸。20.如申请专利范围第1项之方法,其中酸浴进一步包括铝离子。21.如申请专利范围第20项之方法,其中酸浴包括多达0.005N A1(NO3)39H2O。22.如申请专利范围第1项之方法,其中玻璃基板系浸入酸浴中至少4分钟。23.如申请专利范围第1项之方法,其中玻璃基板系浸入酸浴中4至5分钟。24.如申请专利范围第1项之方法,尚包含以聚乙烯醇垫及具pH介于9与12之间的氢氧化钾擦洗玻璃基板。25.如申请专利范围第24项之方法,尚包含在将玻璃基板浸入酸浴之步骤后,将玻璃基板浸入具pH介于11.5与13之间的氢氧化钾之硷浴中。26.如申请专利范围第1项之方法,尚包含接着使玻璃基板进行化学强化,及将玻璃基板浸入包含界面活性剂及自有机酸及硫酸所组成之族群中所选出之酸之温和浸蚀浴中。27.如申请专利范围第1项之方法,尚包含接着使玻璃基板进行化学强化,及将玻璃基板浸入包含硝酸,硼酸,过氧化氢及具羧酸基之有机酸之温和浸蚀浴中。28.一种清净业经含镧系氧化物粒子之浆液抛光过之玻璃基板之方法,该方法包含以下步骤:以含镧系氧化物粒子之浆液抛光玻璃基板;将其上具镧系氧化物粒子之玻璃基板浸入包含至少1N硝酸,至少0.15 N过氧化氢及至少0.0067M酒石酸之酸浴中;及接着将该经抛光玻璃基板浸入具pH介于11.5与13之间的氢氧化钾之硷浴中,其中该浸入酸液之步骤,系将该镧系氧化物粒子自该经抛光玻璃基板实质上溶解至酸浴中,由此而降低该经抛光玻璃基板上之镧系氧化物粒子之量。29.如申请专利范围第28项之方法,其中玻璃基板系铝矽酸玻璃。30.如申请专利范围第28项之方法,其中镧系氧化物粒子包括至少氧化镧与氧化铈之一种。31.如申请专利范围第28项之方法,其中玻璃基板系浸入温度为至少40℃之酸浴中。32.如申请专利范围第28项之方法,其中玻璃基板系浸入温度为55℃至70℃之酸浴中。33.如申请专利范围第28项之方法,其中酸浴中之硝酸为3N至4N硝酸。34.如申请专利范围第28项之方法,其中酸浴中之过氧化氢为0.15N至1N过氧化氢。35.如申请专利范围第28项之方法,其中酸浴包括0.02至0.04M酒石酸。36.如申请专利范围第28项之方法,其中酸浴进一步包括0.03至0.15体积%之界面活性剂。37.如申请专利范围第36项之方法,其中酸浴包括0.1体积%之界面活性剂。38.如申请专利范围第28项之方法,其中酸浴进一步包括多达1N硫酸。39.如申请专利范围第28项之方法,其中酸浴进一步包括多达40克/升硼酸。40.如申请专利范围第28项之方法,其中酸浴进一步包括铝离子。41.如申请专利范围第40项之方法,其中酸浴包括多达0.02N Al(NO3)39H2O。42.如申请专利范围第28项之方法,其中玻璃基板系浸入酸浴中至少4分钟。43.如申请专利范围第28项之方法,其中玻璃基板系浸入酸浴中4至5分钟。44.如申请专利范围第28项之方法,尚包含以聚乙烯醇垫及具pH介于9与12之间的氢氧化钾擦洗玻璃基板。45.如申请专利范围第28项之方法,尚包含接着使玻璃基板进行化学强化,及将玻璃基板浸入包含界面活性剂及自有机酸及硫酸所组成之族群中所选出之酸之温和浸蚀浴中。46.如申请专利范围第28项之方法,尚包含接着使玻璃基板进行化学强化,及将玻璃基板浸入包含硝酸,硼酸,过氧化氢及具羧酸基之有机酸之温和浸蚀浴中。47.一种用于清净玻璃基板之方法,包含:(a)以包含镧系氧化物粒子之浆料抛光玻璃基板;(b)以超音波清净基板;(c)以肥皂和垫机械擦洗基板;(d)将基板浸入包含硝酸,过氧化氢及具羧酸基之有机酸之酸浴中;(e)以聚乙烯醇垫及氢氧化钾擦洗基板;及(f)将基板浸入氢氧化钾之硷浴中。48.如申请专利范围第47项之方法,尚包含:(g)使基板进行化学强化;(h)将基板浸入界面活性剂与自有机酸及硫酸所组成之族群中所选出之酸的浸蚀浴中;(i)再度以聚乙烯醇垫及氢氧化钾擦洗基板;及(j)再度将基板浸入氢氧化钾之硷浴中。49.如申请专利范围第48项之方法,其中步骤(a)-(j)系各自进行一段充足时间,以使玻璃基板上之镧系粒子之含量在步骤(j)后各降低至不到1.52 10-4毫微克/平方毫米。图式简单说明:图1为与本发明一致的清净方法之流程图;及图2为与本发明一致的磁碟机之功能方块图。 |
