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1.一种用以制备用于半导体工业之高纯度硫酸的方法,其特征在于:a)浓度1-70%的过氧化氢溶液以足以将SO2浓度降至低于10ppm的添加量加至24-70%制造级发烟硫酸中,b)发烟硫酸中的SO3于降膜蒸发器中于90-130℃蒸发,c)藉除雾器(如:滤烛)分离来自蒸发器的SO3气流中的微量硫酸和亚硝醯基硫酸,d)以惰性气体浓缩高纯度SO3,及e)以冷却方式使SO3吸收于浓度90-99%的硫酸中。2.如申请专利范围第1项之方法,其中,所得一部分高纯度硫酸流循环回到吸收管柱。3.如申请专利范围第1项之方法,其中,添加高纯度去离水而将高纯度硫酸浓度调整至所欲浓度,此浓度调整是一个藉导电度测定而控制的封闭回路。4.如申请专利范围第1项之方法,其中,所得高纯度硫酸充填至衬有PTFE的储槽或容器中。5.如申请专利范围第1至4项中任何一项之方法,其中,使用三阶段滤器自硫酸移除形成的颗粒。6.如申请专利范围第5项之方法,其中,使用孔洞尺寸为0.1微米至1微米的PFA或PTFE滤器。7.如申请专利范围第1项之方法,其中,SO3同时被吸收于含PFA填充成份之衬有PTFE的反应器中。8.如申请专利范围第1或2项之方法,其中,于有惰性气体存在时,在PFA或氟化聚烯烃制的下游管束式反应器中移除形成的反应热。9.如申请专利范围第1项之方法,其中,以作为惰性气体的超纯氮或高度纯化的空气浓缩高纯度SO3至惰性气体浓度介于1至50%。10.如申请专利范围第1项之方法,其中,使用制自高纯度PFA或氟化聚烯烃的除雾器。11.如申请专利范围第1项之方法,其中,排出的气体以纯硫酸于涤气器中处理。图式简单说明:附图1是根据本发明之设备的图示;其中的组件意义如下:(1)SO3进料(2)发烟硫酸塔(3)发烟硫酸缓冲槽(4)过氧化氢进料(5)加热系统(6)蒸发器(7)除雾器(8)惰性气体进料(9)吸收塔(10)超纯水进料(11)冷却(12)终产物(13)废气(14)经纯化的废气附图2所示者是可用于此方法中的发烟硫酸蒸发器构造。各组件之定义如下:(1)发烟硫酸入口(2)第一个溢流堰(3)管线分布盖(4)蒸发管(5)发烟硫酸出口(6)SO3排放口(7)热气入口(8)热气出口附图3所示者是可用于此方法的吸收器或吸收塔结构图。其中所示组件具下列意义:(1)酸分布喷嘴(2)填充层(3)至冷却器的酸出口(4)惰性气体出口(5)SO3出口 |
