发明名称 阵列基板之检查方法
摘要 本发明在第一次测定中,使列电极驱动电路15及行电极驱动电路16维持平常显示时的动作,并持续写入/读取供给辅助电容13的测试用视讯讯号,接着于第二次测定中,使像素部18的TFT11与行电极驱动电路16的类比开关162保持关闭之状态下,写入/读取供给视讯汇流排163的测试用视讯讯号,而藉由求出第一次测定结果与第二次测定结果之差异,单独抽出驱动器成分除外的像素成分及行电极成分,以据此判定像素部18中是否有电性不良的情形。
申请公布号 TW555985 申请公布日期 2003.10.01
申请号 TW091116717 申请日期 2002.07.26
申请人 东芝股份有限公司 发明人 富田晓
分类号 G01R31/00 主分类号 G01R31/00
代理机构 代理人 陈长文 台北市松山区敦化北路二○一号七楼
主权项 1.一种阵列基板之检查方法,该基板具有:像素部,其包含像素切换元件,该像素切换元件系藉由相互交叉的数个行电极及数个列电极、配置于此两种电极的各个交叉部位之像素电极、电性连接于前述像素电极之辅助电容,及供给至前述列电极之列选择讯号,使前述行电极与前述像素电极之间导通,而将供给至前述行电极的视讯讯号写入前述辅助电容;列电极驱动电路,其系将列选择讯号供给至前述列电极;及行电极驱动电路,其包含供给前述视讯讯号的视讯滙流排及类比开关,该类比开关系使前述视讯滙流排与前述行电极间导通,而将供给至前述视讯滙流排的视讯讯号供给至前述行电极;该检查方法包括:第一测定步骤,其系于一般显示时的导通状态下控制前述像素切换元件及前述类比开关,而从前述行电极介以前述像素切换元件,将供给至前述视讯滙流排的测试用视讯讯号写入前述辅助电容,再经由相同路径将其读出;及第二测定步骤,其系控制使前述像素切换元件及前述类比开关不导通,并对前述视讯滙流排施加测试用视讯讯号,再从前述视讯滙流排将其读出;其中根据前述第一测定步骤中读出的讯号与前述第二测定步骤中读出的讯号之差异,检查出前述像素部与前述行电极的电性不良情形。2.如申请专利范围第1项的阵列基板之检查方法,其中于前述第一测定步骤中写入前述测试用视讯讯号后,经过一图框期间后从相同路径将其读出。3.如申请专利范围第1项的阵列基板之检查方法,其中于前述第二测定步骤中施加前述测试用视讯讯号后,经过一图框期间后从前述视讯滙流排将其读出。4.一种阵列基板之检查方法,该基板具有:像素部,其包含像素切换元件,该像素切换元件系藉由相互交叉的数个行电极及数个列电极、配置于此两种电极的各个交叉部位之像素电极、电性连接于前述像素电极之辅助电容,及供给至前述列电极之列选择讯号,使前述行电极与前述像素电极之间导通,而将供给至前述行电极的视讯讯号写入前述辅助电容;列电极驱动电路,其系将列选择讯号供给至前述列电极;及行电极驱动电路,其包含供给前述视讯讯号的视讯滙流排及类比开关,该类比开关系使前述视讯滙流排与前述行电极间导通,而将供给至前述视讯滙流排的视讯讯号供给至前述行电极;该检查方法包括:第一测定步骤,其系于一般显示时的导通状态下控制前述像素切换元件及前述类比开关,而从前述行电极介以前述像素切换元件,将供给至前述视讯滙流排的测试用视讯讯号写入前述辅助电容,再经由相同路径将其读出;及第二测定步骤,其系控制使前述像素切换元件不导通,且将前述类比开关控制为一般显示时的导通状态,并对前述行电极施加供给至前述视讯滙流排的测试用视讯讯号,接着再经由前述视讯滙流排而从前述行电极将其读出;其中根据前述第一测定步骤中读出的讯号与前述第二测定步骤中读出的讯号之差异,检查出前述像素部的电性不良情形。5.如申请专利范围第4项的阵列基板之检查方法,其中于前述第一测定步骤中写入前述测试用视讯讯号后,经过一图框期间后从相同路径将其读出。6.如申请专利范围第5项的阵列基板之检查方法,其中于前述第二测定步骤中施加前述测试用视讯讯号后,经过一图框期间后从前述视讯滙流排将其读出。7.一种阵列基板之检查方法,该基板具有:像素部,其包含像素切换元件,该像素切换元件系藉由相互交叉的数个行电极及数个列电极、配置于此两种电极的各个交叉部位之像素电极、电性连接于前述像素电极之辅助电容,及供给至前述列电极之列选择讯号,使前述行电极与前述像素电极之间导通,而将供给至前述行电极的视讯讯号写入前述辅助电容;列电极驱动电路,其系将列选择讯号供给至前述列电极;及行电极驱动电路,其包含供给前述视讯讯号的视讯滙流排及类比开关,该类比开关系使前述视讯滙流排与前述行电极间导通,而将供给至前述视讯滙流排的视讯讯号供给至前述行电极;该检查方法包括:第一测定步骤,其系控制使前述像素切换元件不导通,且控制前述类比开关为一般显示时的导通状态,并对前述行电极施加供给至前述视讯滙流排的测试用视讯讯号,接着再经由前述视讯滙流排而从前述行电极将其读出;及第二测定步骤,其系控制使前述像素切换元件及前述类比开关不导通,并对前述视讯滙流排施加测试用视讯讯号,再经由前述视讯滙流排将其读出;其中根据前述第一测定步骤中读出的讯号与前述第二测定步骤中读出的讯号之差异,检查出前述行电极的电性不良情形。8.如申请专利范围第7项的阵列基板之检查方法,其中于前述第一测定步骤中写入前述测试用视讯讯号后,经过一图框期间后从相同路径将其读出。9.如申请专利范围第8项的阵列基板之检查方法,其中于前述第二测定步骤中施加前述测试用视讯讯号后,经过一图框期间后从前述视讯滙流排将其读出。10.一种阵列基板之检查方法,该基板具有:像素部,其包含像素切换元件,该像素切换元件系藉由相互交叉的数个行电极及数个列电极、配置于此两种电极的各个交叉部位之像素电极、电性连接于前述像素电极之辅助电容,及供给至前述列电极之列选择讯号,使前述行电极与前述像素电极之间导通,而将供给至前述行电极的视讯讯号写入前述辅助电容;该检查方法包括:第一测定步骤,其系于一般显示时的导通状态下控制前述像素切换元件,而介以前述像素切换元件将供给至前述行电极的测试用视讯讯号写入前述辅助电容,接着再经由前述相同路径将其读出;及第二测定步骤,其系控制使前述像素切换元件不导通,并对前述行电极施加测试用视讯讯号,接着再从前述行电极将其读出;且其中根据前述第一测定步骤中读出的讯号与前述第二测定步骤中读出的讯号之差异,检查出前述像素部的电性不良情形。11.如申请专利范围第10项的阵列基板之检查方法,其中于前述第一测定步骤中写入前述测试用视讯讯号后,经过一图框期间后从相同路径将其读出。12.如申请专利范围第11项的阵列基板之检查方法,其中于前述第二测定步骤中施加前述测试用视讯讯号后,经过一图框期间后从前述视讯滙流排将其读出。13.一种阵列基板之检查方法,该基板具有:像素部,其包含像素切换元件,该像素切换元件系藉由相互交叉的数个行电极及数个列电极、配置于此两种电极的各个交叉部位之像素电极、电性连接于前述像素电极之辅助电容,及供给至前述列电极之列选择讯号,使前述行电极与前述像素电极之间导通,而将供给至前述行电极的视讯讯号写入前述辅助电容;该检查方法包括:测定步骤,其系控制使前述像素切换元件不导通,并对前述行电极施加测试用视讯讯号,接着再从前述行电极将其读出;其中根据前述测定步骤中读出的讯号,检查出前述行电极的电性不良情形。图式简单说明:图1系为以往使用于一般TFT-LCD的阵列基板之电路构成图。图2系为以往使用于一般a-Si TFT-LCD的阵列基板之电路构成图。图3系为实施形态相关的阵列基板之电路构成图。
地址 日本
您可能感兴趣的专利