主权项 |
1.一种阵列基板之检查方法,该基板具有:像素部,其包含像素切换元件,该像素切换元件系藉由相互交叉的数个行电极及数个列电极、配置于此两种电极的各个交叉部位之像素电极、电性连接于前述像素电极之辅助电容,及供给至前述列电极之列选择讯号,使前述行电极与前述像素电极之间导通,而将供给至前述行电极的视讯讯号写入前述辅助电容;列电极驱动电路,其系将列选择讯号供给至前述列电极;及行电极驱动电路,其包含供给前述视讯讯号的视讯滙流排及类比开关,该类比开关系使前述视讯滙流排与前述行电极间导通,而将供给至前述视讯滙流排的视讯讯号供给至前述行电极;该检查方法包括:第一测定步骤,其系于一般显示时的导通状态下控制前述像素切换元件及前述类比开关,而从前述行电极介以前述像素切换元件,将供给至前述视讯滙流排的测试用视讯讯号写入前述辅助电容,再经由相同路径将其读出;及第二测定步骤,其系控制使前述像素切换元件及前述类比开关不导通,并对前述视讯滙流排施加测试用视讯讯号,再从前述视讯滙流排将其读出;其中根据前述第一测定步骤中读出的讯号与前述第二测定步骤中读出的讯号之差异,检查出前述像素部与前述行电极的电性不良情形。2.如申请专利范围第1项的阵列基板之检查方法,其中于前述第一测定步骤中写入前述测试用视讯讯号后,经过一图框期间后从相同路径将其读出。3.如申请专利范围第1项的阵列基板之检查方法,其中于前述第二测定步骤中施加前述测试用视讯讯号后,经过一图框期间后从前述视讯滙流排将其读出。4.一种阵列基板之检查方法,该基板具有:像素部,其包含像素切换元件,该像素切换元件系藉由相互交叉的数个行电极及数个列电极、配置于此两种电极的各个交叉部位之像素电极、电性连接于前述像素电极之辅助电容,及供给至前述列电极之列选择讯号,使前述行电极与前述像素电极之间导通,而将供给至前述行电极的视讯讯号写入前述辅助电容;列电极驱动电路,其系将列选择讯号供给至前述列电极;及行电极驱动电路,其包含供给前述视讯讯号的视讯滙流排及类比开关,该类比开关系使前述视讯滙流排与前述行电极间导通,而将供给至前述视讯滙流排的视讯讯号供给至前述行电极;该检查方法包括:第一测定步骤,其系于一般显示时的导通状态下控制前述像素切换元件及前述类比开关,而从前述行电极介以前述像素切换元件,将供给至前述视讯滙流排的测试用视讯讯号写入前述辅助电容,再经由相同路径将其读出;及第二测定步骤,其系控制使前述像素切换元件不导通,且将前述类比开关控制为一般显示时的导通状态,并对前述行电极施加供给至前述视讯滙流排的测试用视讯讯号,接着再经由前述视讯滙流排而从前述行电极将其读出;其中根据前述第一测定步骤中读出的讯号与前述第二测定步骤中读出的讯号之差异,检查出前述像素部的电性不良情形。5.如申请专利范围第4项的阵列基板之检查方法,其中于前述第一测定步骤中写入前述测试用视讯讯号后,经过一图框期间后从相同路径将其读出。6.如申请专利范围第5项的阵列基板之检查方法,其中于前述第二测定步骤中施加前述测试用视讯讯号后,经过一图框期间后从前述视讯滙流排将其读出。7.一种阵列基板之检查方法,该基板具有:像素部,其包含像素切换元件,该像素切换元件系藉由相互交叉的数个行电极及数个列电极、配置于此两种电极的各个交叉部位之像素电极、电性连接于前述像素电极之辅助电容,及供给至前述列电极之列选择讯号,使前述行电极与前述像素电极之间导通,而将供给至前述行电极的视讯讯号写入前述辅助电容;列电极驱动电路,其系将列选择讯号供给至前述列电极;及行电极驱动电路,其包含供给前述视讯讯号的视讯滙流排及类比开关,该类比开关系使前述视讯滙流排与前述行电极间导通,而将供给至前述视讯滙流排的视讯讯号供给至前述行电极;该检查方法包括:第一测定步骤,其系控制使前述像素切换元件不导通,且控制前述类比开关为一般显示时的导通状态,并对前述行电极施加供给至前述视讯滙流排的测试用视讯讯号,接着再经由前述视讯滙流排而从前述行电极将其读出;及第二测定步骤,其系控制使前述像素切换元件及前述类比开关不导通,并对前述视讯滙流排施加测试用视讯讯号,再经由前述视讯滙流排将其读出;其中根据前述第一测定步骤中读出的讯号与前述第二测定步骤中读出的讯号之差异,检查出前述行电极的电性不良情形。8.如申请专利范围第7项的阵列基板之检查方法,其中于前述第一测定步骤中写入前述测试用视讯讯号后,经过一图框期间后从相同路径将其读出。9.如申请专利范围第8项的阵列基板之检查方法,其中于前述第二测定步骤中施加前述测试用视讯讯号后,经过一图框期间后从前述视讯滙流排将其读出。10.一种阵列基板之检查方法,该基板具有:像素部,其包含像素切换元件,该像素切换元件系藉由相互交叉的数个行电极及数个列电极、配置于此两种电极的各个交叉部位之像素电极、电性连接于前述像素电极之辅助电容,及供给至前述列电极之列选择讯号,使前述行电极与前述像素电极之间导通,而将供给至前述行电极的视讯讯号写入前述辅助电容;该检查方法包括:第一测定步骤,其系于一般显示时的导通状态下控制前述像素切换元件,而介以前述像素切换元件将供给至前述行电极的测试用视讯讯号写入前述辅助电容,接着再经由前述相同路径将其读出;及第二测定步骤,其系控制使前述像素切换元件不导通,并对前述行电极施加测试用视讯讯号,接着再从前述行电极将其读出;且其中根据前述第一测定步骤中读出的讯号与前述第二测定步骤中读出的讯号之差异,检查出前述像素部的电性不良情形。11.如申请专利范围第10项的阵列基板之检查方法,其中于前述第一测定步骤中写入前述测试用视讯讯号后,经过一图框期间后从相同路径将其读出。12.如申请专利范围第11项的阵列基板之检查方法,其中于前述第二测定步骤中施加前述测试用视讯讯号后,经过一图框期间后从前述视讯滙流排将其读出。13.一种阵列基板之检查方法,该基板具有:像素部,其包含像素切换元件,该像素切换元件系藉由相互交叉的数个行电极及数个列电极、配置于此两种电极的各个交叉部位之像素电极、电性连接于前述像素电极之辅助电容,及供给至前述列电极之列选择讯号,使前述行电极与前述像素电极之间导通,而将供给至前述行电极的视讯讯号写入前述辅助电容;该检查方法包括:测定步骤,其系控制使前述像素切换元件不导通,并对前述行电极施加测试用视讯讯号,接着再从前述行电极将其读出;其中根据前述测定步骤中读出的讯号,检查出前述行电极的电性不良情形。图式简单说明:图1系为以往使用于一般TFT-LCD的阵列基板之电路构成图。图2系为以往使用于一般a-Si TFT-LCD的阵列基板之电路构成图。图3系为实施形态相关的阵列基板之电路构成图。 |