| 主权项 |
1.一种光电装置,其特征系于基板上具备复数之扫描线,和复数之资料线,和连接于前述各扫描线和前述各资料线之薄膜电晶体,和连接于前述薄膜电晶体之画素电极,和于前述薄膜电晶体之至少通道范围,呈平面加以被覆配置之导电性遮光膜,和为将信号供给至前述扫描线和前述资料线之至少一侧之周边电路,和连接于前述周边电路之周边配线;前述周边配线系包含含有形成前述遮光膜之第1导电膜的第1配线部,和含有构成前述薄膜电晶体、前述资料线及前述扫描线的复数薄膜的至少一个导电膜的第2配线部者。2.如申请专利范围第1项之光电装置,其中,前述第1配线部系具有前述薄膜电晶体,构成前述资料线及前述扫描线的复数薄膜中之至少一个第2导电膜和前述第1导电膜,前述第2配线部系包含有前述薄膜电晶体,与构成前述资料线及前述扫描线的复数薄膜中之第2导电膜不同之第3导电膜者。3.如申请专利范围第2项之光电装置,其中,前述第2导电膜系较前述第1导电膜为高阻抗者。4.如申请专利范围第2项或第3项之光电装置,其中,更具备介于前述遮光膜和前述薄膜电晶体间的第1层间绝缘膜,和介于前述第2导电膜和前述第3导电膜间的第2层间绝缘膜;前述第1配线部系电气连接于前述第2配线部之一部分的同时,对于前述第1配线部之其他部分,各介由前述第1及第2层间绝缘膜,呈立体交叉的中断配线所构成者。5.如申请专利范围第4项之光电装置,其中,前述周边配线系包含自外部电路连接端子供给前述画像信号之画像信号线;前述周边电路系包含为取样前述画像信号之取样电路,和将该取样电路,以所定时间加以驱动,将前述画像信号线上之前述画像信号,介由前读取样电路,供予前述复数资料线的资料线驱动电路,和驱动前述扫描线之扫描线驱动电路者。6.如申请专利范围第5项之光电装置,其中,前述画像信号系被N(唯N为2以上之自然数)序列-并行变换,前述画像信号线系并列设置N条:该N条画像信号线系于相互交叉之处包含前述中断配线者。7.如申请专利范围第5项之光电装置,其中,更具备为自前述资料线驱动电路供给前述取样电路驱动信号的复数之取样电路驱动信号线;前述取样电路驱动信号线系至少交叉于前述;画像信号线处为前述中断配线所成者。8.如申请专利范围第2项或第3项之光电装置,其中,构成前述第1配线部之前述第1导电膜及前述第2导电膜,系介由设于前述第1层间绝缘膜之连接孔,呈相互电气连接者。9.如申请专利范围第2项或第3项之光电装置,其中,前述第3导电膜系由形成前述资料线之金属膜所成;前述第2导电膜系由形成前述扫描线之多矽膜所成者。10.如申请专利范围第2项或第3项之光电装置,其中,在于与对向于前述基板之对向基板间,挟持前述光电物质,前述基板和对向基板系经由密封材黏着,对向于前述密封材之前述基板上之密封范围中,对于光电物质之周围,至少堆积前述第1导电膜、前述第2导电膜及前述第3导电膜,介由前述密封范围所导出之前述资料线及前述扫描线侧之导出配线部,系各为由前述第1导电膜、前述第2导电膜及前述第3导电膜中至少一个所成者。11.如申请专利范围第10项之光电装置,其中,前述导出配线部系各为前述第1导电膜和第2导电膜和第3导电膜中之至少2个,互相介由连接孔加以电气连接者。12.如申请专利范围第10项之光电装置,其中,前述导出配线部系由各为前述第1导电膜和第2导电膜和第3导电膜中之一个所成配线所形成,前述第1导电膜和第2导电膜和第3导电膜中之其他2个系由在于前述密封范围,未能做为配线工作之虚拟配线所成者。13.如申请专利范围第2项或第3项之光电装置,其中,于前述第1配线部,前述第1导电膜经由前述第2导电带所被覆者。14.如申请专利范围第13项之光电装置,其中,前述第1配线部中,前述第1导电膜之配线宽度为前述第2导电膜之配线宽度以下者。15.一种光电装置,其特征系于基板上具备复数之扫描线,和复数之资料线,和连接于各前述复数之扫描线和各前述资料线之薄膜电晶体,和连接于该薄膜电晶体之画素电极,和将前述薄膜电晶体之至少通道范围,呈平面加以被覆配置之导电性遮光膜,和供给画像信号之复数画像信号线,和取样供予该复数之画像信号线之前述画像信号,供予前述复数之资料线的取样电路;连接前述画像信号线和前述取样电路的配线之至少一部分,系由与前述遮光膜同一层所成之第1导电膜所成者。16.如申请专利范围第15项之光电装置,其中,于前述取样电路,供给取样电路驱动信号之取样电路驱动信号线之至少一部分系由前述第1导电膜所成者。17.一种光电装置之制造方法,针对于一对基板间插入光电物质,于该一对基板之一方之基板上,具备复数之扫描线,和复数之资料线,和连接于各前述复数之扫描线和各前述资料线之薄膜电晶体,和连接于前述薄膜电晶体之画素电极,和设于将前述薄膜电晶体之至少通道范围,呈平面加以被覆之位置之导电性遮光膜,和供给画像信号之复数画像信号线,和取样供予该复数之画像信号线之前述画像信号,供予前述复数之资料线的取样电路之光电物质之制造方法中;其特征系具有将呈连接前述画像信号线和前述取样电路的配线的一部分的第1导电膜和前述遮光膜,经由同一材料形成之工程,和于前述第1导电膜及前述遮光膜上,形成第1层间绝缘膜之工程,和形成在于该第1层间绝缘膜上,形成前述扫描线的同时,介由形成于前述第1层间绝缘膜之连接孔,连接于前述第1导电膜之第2导电膜的工程,和于前述扫描线及前述第2导电膜上,形成第2层间绝缘膜之工程,和介由前述第2层间绝缘膜之连接孔,形成连接于前述薄膜电晶体的前述资料线及连接于前述第2导电膜之前述画像信号线的工程者。18.一种光电装置之制造方法,针对于一对基板间插入光电物质,于该一对基板之一方之基板上,具备复数之扫描线,和复数之资料线,和连接于各前述复数之扫描线和各前述资料线之薄膜电晶体,和连接于该薄膜电晶体之画素电极,和设于将前述薄膜电晶体之至少通道范围,呈平面加以被覆之位置的导电性遮光膜,和供给画像信号之复数画像信号线,和取样供予该复数之画像信号线之前述画像信号,供予前述复数之资料线的取样电路之光电物质之制造方法中;其特征系具有将呈连接前述画像信号线和前述取样电路的配线的一部分的第1导电膜和前述遮光膜,经由同一材料形成之工程,和于前述第1导电膜及前述遮光膜上,形成第1层间绝缘膜之工程,和于前述第1层间绝缘膜上,顺序堆积形成前述薄膜电晶体之源极及汲极所成之半导体层。闸极绝缘膜及闸极电极的工程,和于前述闸极电极上,形成第2层间绝缘膜的工程,和介由前述第2层间绝缘膜之连接孔,形成连接于前述薄膜电晶体的前述资料线,介由前述第1及第2层间绝缘膜之连接孔,形成连接于前述第1导电膜的画像信号线的工程。19.一种电子机器,其特征系具备如申请专利范围第1至第16项之光电装置者。图式简单说明:[图1]包含设于构成液晶装置之实施形态之画像形成范围的矩阵状之复数画素的各种元件,配线等之等价电路以及周边电路的液晶装置之方块图。[图2]形成液晶装置之实施形态之资料线、扫瞄线、画素电极、遮光膜等之TFT阵列基板之相邻接之复数画索群的平面图。[图3]图2之A-A'截面图。[图4]设置周边配线之TFT阵列基板之部分平面图。[图5]显示扩大图4之中继配线及拉出配线部的扩大平面图。[图6]图4及图5之B-B'截面图。[图7]图4及图5之C-C'截面图。[图8]显示图4及图5之B-B'截面之变形形态的截面图。[图9]显示图4及图5之C-C'截面之变形形态的截面图。[图10]显示图5截面之取样电路驱动信号线用之中继配线之各种形态的截面图。[图11]将液晶装置之实施形态之制造步骤,对于对应图6部分,依顺序加以显示之工程图(其1)。[图12]将液晶装置之实施形态之制造步骤,对于对应图6部分,依顺序加以显示之工程图(其2) 。[图13]将液晶装置之实施形态之制造步骤,对于对应图3部分,依顺序加以显示之工程图(其1) 。[图14]将液晶装置之实施形态之制造步骤,对于对应图3部分,依顺序加以显示之工程图(其2) 。[图15]与将液晶装置之实施形态之TFT阵列基板,形成于其上之各构成要件,一同自对向基板侧所视之平面图。[图16]图15之H-H'截面图。[图17]显示本发明之电子机器之实施形态之概略构成的方块图。[图18]显示做为电子机器之一例的液晶投影器的截面图。[图19]显示做为电子机器之其他之例的个人电脑的正面图。 |
