| 主权项 |
1.一种用于除去已离子植入之光阻(P)之程序,其系包括有:使一其上具有已离子植入之光阻层的基板(S)曝露至一个足以除去光阻层之紫外线辐射源,以及自该基板处剥除该光阻。2.根据申请专利范围第1项所述之程序,其中该剥除步骤系为由一乾式剥除程序及一湿式剥除程序中所选择的一个所构成。3.根据申请专利范围第2项所述之程序,其中该乾式剥除程序系包括有将已曝露至紫外线的已离子植入之光阻层曝露至一电浆。4.根据申请专利范围第3项所述之程序,其中该电浆系为从包含有氧气之气体所产生者。5.根据申请专利范围第3项所述之程序,其中该电浆系为从不存在有氧气之气体混合物所产生者。6.根据申请专利范围第1项所述之程序,其更包括有在将该基板曝露至该紫外线辐射源之步骤期间对该基板进行加热。7.根据申请专利范围第6项所述之程序,其中该基板系被加热至一个从大约20℃至大约120℃的温度。8.根据申请专利范围第6项所述之程序,其中该基板在曝露至该紫外线辐射源之前系被加热至一个不大于光阻层所烘烤之最大温度的温度。9.根据申请专利范围第1项所述之程序,其中该紫外线辐射源系发出波长从大约150nm至大约450nm的辐射。10.根据申请专利范围第1项所述之程序,其中该紫外线辐射源系发出波长从大约200nm至大约400nm的辐射。11.根据申请专利范围第1项所述之程序,其中将基板曝露至紫外线辐射源的该步骤系为处在从大约10mJ/cm2至大约100mJ/cm2的曝露能量。12.根据申请专利范围第1项所述之程序,其中将基板曝露至紫外线辐射源的该步骤系为处在至少100mJ/cm2的曝露能量。13.一种除去已离子植入之光阻层的程序,该已离子植入之光阻层系自一半导体基板(S)去除,该程序系包括有以下步骤:形成一个包括有光阻(P)之光罩于该基板上;将该基板曝露至掺杂离子,其中该掺杂离子(I)系与光阻光罩之一表面相反应,用以形成一个已离子植入之光罩部分于光阻光罩中;使掺杂离子(I)经由光罩中的开口而植入该基板之中;将该基板曝露至紫外线辐射;藉由产生一电浆以形成一反应性物种;以及将该基板曝露至电浆之反应性物种一段足以且得有效将包括有已离子植入之光阻部分的光阻光罩从该基板处除去的时间。14.根据申请专利范围第13项所述除去已离子植入之光阻层的程序,其中将基板曝露至紫外线辐射之该步骤系包括有大约105mW/cm2之曝露能量。15.根据申请专利范围第14项所述之除去已离子植入之光阻层的程序,其中将基板曝露至紫外线辐射之该步骤系包括有大约30秒之曝露时间。16.根据申请专利范围第13项所述之除去已离子植入之光阻层的程序,其中将基板曝露至紫外线辐射之该步骤更包括有将晶圆加热至一个使光阻光罩从该基板处移去之速率得有效增加的温度。17.根据申请专利范围第13项所述之除去已离子植入之光阻层的程序,其中将基板曝露至紫外线辐射之该步骤系包括有大约以105mW/cm2曝露30秒,其中该基板系被维持在大约20℃的温度。18.根据申请专利范围第13项所述之除去已离子植入之光阻层的程序,其中该电浆系为不带氧者。19.根据申请专利范围第13项所述之除去已离子植入之光阻层的程序,其中该电浆系为包含有氧者。20.根据申请专利范围第13项所述之除去已离子植入之光阻层的程序,其更包括有以去离子水进行清洗的步骤。21.根据申请专利范围第13项所述之除去已离子植入之光阻层的程序,其中在除去已离子植入之光阻部分期间的监视期间并没有明显的限制。22.根据申请专利范围第13项所述之除去已离子植入之光阻层的程序,其中将已离子植入之光阻曝露至紫外线辐射以及反应性种类之该等步骤系发生在相同的反应容室中。23.根据申请专利范围第13项所述之除去已离子植入之光阻层的程序,其中将基板曝露至紫外线辐射之该步骤系包括有将该基板曝露在从大约10mJ/cm2至大约100mJ/cm2的曝露能量。24.根据申请专利范围第13项所述之除去已离子植入之光阻层的程序,其中将基板曝露至紫外线辐射之该步骤系包括有将该基板曝露在至少100mJ/cm2的曝露能量。图式简单说明:第一图系显示出根据本发明之用于将已离子植入之光阻从一基板处除去之程序的诸步骤:第二图系为一图式,其系显示出在针对根据本发明所处理之晶圆的光阻中,以及在针对于在灰化(ashing)前并未包括有一紫外线辐射曝露之晶圆的光阻中,藉由氢氧族功能度(OH functionality)之光学发射信号所监视到完全除去已离子植入之光阻所需的时间;以及第三图系为一图式,其系显示出针对根据本发明所处理之晶圆,以及针对在灰化前并未包括有一紫外线辐射曝露之晶圆,在相同状况下所除去已离子植入之光阻的量。 |
