| 主权项 |
1.一种晶圆级晶片尺寸封装结构,系包含有:一晶片,该晶片之一表面系形成有复数个焊垫;及复数个针状电极,每一针状电极系包含有一条状金属层及一条状支撑层,其中该些条状金属层系结合于对应之焊垫,并延伸至条状支撑层,而该些条状支撑层系形成于对应之条状金属层之一侧表面,以支撑该些条状金属层。2.如申请专利范围第1项所述之晶圆级晶片尺寸封装结构,其中该些条状支撑层之一端部系结合于该晶片表面之非电极部。3.如申请专利范围第1项所述之晶圆级晶片尺寸封装结构,其中该些条状支撑层系为厚光阻(thickphotoresist)。4.如申请专利范围第1项所述之晶圆级晶片尺寸封装结构,其中该些条状支撑层系为聚亚醯胺(polyimide)或苯环丁烯(benezo cyclobutene)。5.如申请专利范围第1项所述之晶圆级晶片尺寸封装结构,其中该些条状金属层系为镍、金、银、铜或钯。6.如申请专利范围第1项所述之晶圆级晶片尺寸封装结构,其中该晶片之该些焊垫系呈格状阵列排列。7.一种晶圆级晶片尺寸封装结构之制造方法,其步骤系包含有:a)提供一晶圆,该晶圆系包含有复数个晶片,且该晶圆具有一表面,其系形成有复数个焊垫;b)形成复数个牺牲光阻于该晶圆之表面,该些牺牲光阻系不覆盖该些焊垫,且每一牺牲光阻系具有一支撑面;c)形成一厚光阻层于该晶圆之表面并覆盖该些牺牲光阻;d)将该厚光阻层图案化,以形成复数个支撑层,其系形成于该些牺牲光阻之支撑面;e)形成复数个金属层,该些金属层系结合于该些焊垫并覆盖对应之支撑层;及f)移除该些牺牲光阻,使该些支撑层系支撑该些金属层。8.如申请专利范围第7项所述之晶圆级晶片尺寸封装结构之制造方法,其中在将该厚光阻层图案化之(d)步骤中,该些支撑层之一端部系结合于该些晶片表面之非电极部。9.如申请专利范围第7项所述之晶圆级晶片尺寸封装结构之制造方法,其中形成该些牺牲光阻之方式系为网版印刷(screenprinting)或微影成像技术(photolithography)。10.如申请专利范围第7项所述之晶圆级晶片尺寸封装结构之制造方法,其中形成厚光阻层之方式系为印刷(printing)或喷涂(spray coating)。11.如申请专利范围第7项所述之晶圆级晶片尺寸封装结构之制造方法,其中形成该些金属层之方式系为电镀(plating)、蒸镀(evaporation)、溅镀(sputtering)或蚀刻(etching)。12.如申请专利范围第7项所述之晶圆级晶片尺寸封装结构之制造方法,其中在提供一晶圆之(a)步骤中,该些焊垫系呈格状阵列排列。13.如申请专利范围第7项所述之晶圆级晶片尺寸封装结构之制造方法,其中在移除该些牺牲光阻(f)步骤后,另包含切割该晶圆之步骤,使其成为单离之晶圆级晶片尺寸封装结构。图式简单说明:第1图:依本发明,形成牺牲光阻之晶圆截面图;第2图:依本发明,形成厚光阻层之晶圆截面图;第3图:依本发明,形成支撑层之晶圆截面图;第4图:依本发明,形成金属层之晶圆截面图;及第5图:依本发明,一晶圆级晶片尺寸封装结构之截面图。 |
