| 主权项 |
1.一种制造p型氮化物层之方法,其包含的步骤有:a)提供一个含有一个反应器之氢化物气相磊晶系统;b)将基质置于反应器中;并且c)将试剂气体引入反应器,其中该试剂气体包括第一试剂气体成份,该第一试剂气体成份藉着使氯化氢通过第Ⅲ族金属及镁而制成。2.如申请专利范围第1项之方法,其中第Ⅲ族金属包含镓、铟、铝或一种彼之合金。3.如申请专利范围第1项之方法,其中第Ⅲ族金属及镁在氯化氢通过第Ⅲ金属及镁之前系组合生成一种第Ⅲ族/镁金属混合物。4.如申请专利范围第3项之方法,其中第Ⅲ族/镁金属混合物中的镁系元素镁。5.如申请专利范围第3项之方法,其中第Ⅲ族/镁金属混合物基本上由一种以上之第Ⅲ金属及元素镁组成。6.如申请专利范围第3项之方法,其中第Ⅲ族/镁金属混合物包含十亿分之一至10,000份百万分之一的镁金属。7.如申请专利范围第1项之方法,其中该试剂气体还包括氨,而氨系藉由载运气体载运至反应器。8.如申请专利范围第7项之方法,其中载运气体不含氢。9.如申请专利范围第7项之方法,其中载运气体系选自氮及氦之气体。10.如申请专利范围第1项之方法,其中第一试剂气体成份包含一种第Ⅲ族金属之氯化物及镁。11.如申请专利范围第10项之方法,其中第一试剂气体成份还包含镁之氯化物。12.如申请专利范围第3项之方法,其中第Ⅲ族/镁金属混合物系加热至660至900℃之温度。13.如申请专利范围第3项之方法,其中该氢化物气相磊晶系统还包括一个生产室,第Ⅲ族/镁金属混合物系含于生产室中,而氯化氢则通入生产室并且越过第Ⅲ族/镁金属混合物。14.如申请专利范围第1项之方法,其中p型氮化物层系渗入镁,而p型氮化物层之镁成份则极少被氢原子钝化。15.如申请专利范围第1项之方法,其中该步骤c)包含将氨及第一试剂气体成份引入反应器,其中氨及第一试剂气体成份在基质上反应生成一种渗镁之p型第Ⅲ族金属氮化物。16.如申请专利范围第1项之方法,其中p型氮化物层具有一个小于107/cm2之位错密度及一个小于0.1欧姆.公分之电阻率。17.如申请专利范围第1项之方法,其中p型氮化物层系形成于基质上达50微米至500微米之厚度。18.如申请专利范围第1项之方法,其中p型氮化物层含有渗镁之p型氮化镓。19.如申请专利范围第1项之方法,其包含之步骤还有:d)在该步骤c)之后,将p型氮化物层自该步骤b)放置之基质上移开。20.一种利用氢化物气相磊晶长在基质上之p型氮化物层,该p型氮化物层含有:一种渗镁之第Ⅲ族氮化物,p型氮化物层藉着使第一试剂气体成份与氨反应形成,第一试剂气体成份藉着将氯化氢通过第Ⅲ族金属及镁金属制成。21.如申请专利范围第20项之p型氮化物层,其中第Ⅲ族金属包含镓、铟、铝或彼之合金之一。22.如申请专利范围第20项之p型氮化物层,其中第Ⅲ族金属及镁包含第Ⅲ族/镁金属混合物。23.如申请专利范围第22项之p型氮化物层,其中第Ⅲ族/镁金属混合物包含十亿分之一至10,000份百万分之一的镁金属。24.如申请专利范围第20项之p型氮化物层,其中第Ⅲ族/镁金属混合物包含十亿分之一至10,000份百万分之一的镁金属。25.如申请专利范围第20项之p型氮化物层,其中第Ⅲ族/镁金属混合物基本上由一种以上之第Ⅲ族金属及元素镁组成。26.如申请专利范围第20项之p型氮化物层,其中第一试剂气体成份包含一种第Ⅲ族金属之氯化物及镁。27.如申请专利范围第26项之p型氮化物层,其中第一试剂气体成份还包含一种镁之氯化物。28.如申请专利范围第22项之p型氮化物层,其中第Ⅲ族/镁金属混合物系加热至660至900℃之温度。29.如申请专利范围第20项之p型氮化物层,其中p型氮化物层之镁成份极少被氢原子所钝化。30.如申请专利范围第20项之p型氮化物层,其中p型氮化物层拥有的位错密度小于107/cm2而且电阻率则小于0.1欧姆公分。31.如申请专利范围第20项之p型氮化物层,其中p型氮化物层系生成于基质上达50微米至500微米之厚度。32.如申请专利范围第20项之p型氮化物层,其中p型氮化物层包含渗镁之p型氮化镓。33.一种制造p型氮化物层之方法,其包含的步骤有:a)提供一个含有一个反应器之氢化物气相磊晶系统;b)将基质置于反应器中;c)使氯化氢通过一种金属混合物而得到第一试剂气体成份,其中该金属混合物包含元素镁及一种第Ⅲ族金属,该第Ⅲ族金属系选自镓、铟及铝;d)将氨及第一试剂气体成份引入反应器;并且e)在基质上生长一种渗镁之D型氮化物层。34.如申请专利范围第33项之方法,其中第Ⅲ族/镁金属混合物包含十亿分之一至10,000份百万分之一的镁金属。35.如申请专利范围第33项之方法,其包含的步骤还有:f)在该步骤e)之后,将p型氮化物层自基质上移开。图式简单说明:图1图示一个先前技艺之MOCVD生长系统;图2图示一个先前技艺之HVPE生长系统;图3A图示一个适合生长渗p型氮化物层之HVPE系统,根据本发明之一个体系;图3B图示一个适合生长渗p型氮化物层之HVPE系统,根据本发明之另一个体系;以及图4图示涉及制造p型金属氮化物层之方法的一连串步骤,根据本发明之另一个体系。 |
