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1.一种用以将非导电基板表面直接电解金属化之方法,包含:a.使基板表面和水溶聚合物接触;b.以过锰酸盐溶液处理基板表面;c.以具有包含至少一个吩化合物及至少一个烷基磺酸之水基酸性微乳液或酸性水溶液处理基板表面,该烷基磺酸选自包含甲磺酸、乙磺酸及乙二磺酸之群组;d.将基板表面电解金属化。2.如申请专利范围第1项之方法,其中之过锰酸盐溶液是酸性。3.如申请专利范围第1或2项之方法,其中调整过锰酸盐溶液为pH値范围2.5到7。4.如申请专利范围第1或2项之方法,其中调整过锰酸盐溶液为pH値范围3.5到5。5.如申请专利范围第1或2项之方法,其中该过锰酸盐溶液包含至少一个缓冲化合物用以调整该pH値,该缓冲化合物选自包含磷酸、磷酸二氢盐、磷酸氢盐之群组。6.如申请专利范围第1项之方法,其中该过锰酸钾盐溶液包含至少一个缓冲化合物以调整该pH値,该缓冲化合物选自包含硼酸及硼酸盐之群组。7.如申请专利范围第1或2项之方法,其中该至少一烷基磺酸是甲磺酸。8.如申请专利范围第1或2项之方法,其中利用调整该至少一烷基磺酸浓度,使溶液或微乳液pH値范围在0到3。9.如申请专利范围第1或2项之方法,其中利用调整该至少一烷基磺酸浓度,使溶液或微乳液pH値范围在1.5到2.1。10.如申请专利范围第1或2项之方法,其中该至少一吩化合物选自包含3-杂取代吩及3,4-二杂取代吩之群组。11.如申请专利范围第1或2项之方法,其中该至少一吩化合物选自包含3,4-亚乙二氧基吩,3-甲氧吩,3-甲基-4-甲氧吩及其衍生物之群组。12.如申请专利范围第1或2项之方法,其中该溶液或微乳液另包含至少一个表面活化剂。13.如申请专利范围第12项之方法,其中该至少一个表面活化剂选自包含乙氧基化表面活化剂之群组。14.如申请专利范围第1或2项之方法,其中该溶液或微乳液另包含该至少一烷基磺酸之至少一盐。15.如申请专利范围第1或2项之方法,其中该基板表面在方法步骤d电解镀铜。 |
