| 主权项 |
1.一种圆筒状标靶,其特征为:在圆筒状撑托管外围配置中空圆筒状标靶材料,同时采用可压缩填充于前述撑托管与前述标靶材料之间可压缩变形的导电性毡或导电性薄片的薄片状缓冲零件介于前述撑托管与前述标靶材料间方式接合前述撑托管与前述标靶材料。2.如申请专利范围第1项之圆筒状标靶,其中使用碳毡作为前述导电性毡者。3.如申请专利范围第2项之圆筒状标靶,其中前述碳毡于被压缩填充在前述撑托管和前述标靶材料间之前的初期状态之厚度为0.5~10mm,且压缩填充时之压缩率为10~80%者。4.如申请专利范围第1项的圆筒状标靶,其中前述标靶材料,系由陶瓷作成之中空圆筒状体者。5.如申请专利范围第1项之圆筒状标靶,其中一支撑托管中接合着多数之标靶材料者。6.一种圆筒状标靶之制造方法,其特征为:在具有中空圆筒形状之标靶材料里面设置缓冲零件,再对此插装撑托管,并靠该插装动作使前述缓冲零件定位于前述撑托管之外周面与前述标靶材料里面之间,藉此让前述标靶材料与前述撑托管接合而制得圆筒状标靶。7.如申请专利范围第6项之圆筒状标靶之制造方法,其中在前述标靶材料之里面设置可予压缩变形之薄片状缓冲零件,再藉前述撑托管之插装动作压缩前述缓冲零件俾于前述撑托管之外周面和前述标靶材料里面之间填充前述缓冲零件者。图式简单说明:第1图系适用本发明之圆筒状标靶的圆筒形磁控管溅镀系统构成图。第2图系本发明之实施形态有关之圆筒状标靶透视图。第3图为沿第2图中裁面线3-3之截面剖视图。第4图系本例所属圆筒状标靶于制造时之分解透视图。第5图为表示碳毡及碳薄片之初期物性値例的图表。第6图系表示接合多数标靶材料之形态例的截面剖视。第7图系插入耐热性O形环之圆筒状标靶的截面剖视。第8图表示接合多数标靶材料之其他例的截面剖视图。 |
