| 主权项 |
1.一种于固态具有萤光之高分子萤光物质,具有聚苯乙烯折合数量平均分子量1103至1108,以及包括一或多个如下通式(l)重复单位以及一或多个式(8)重复单位,-Ar1-(CR1=CR2)n- (1)式中,Ar1为下式(2)至(7)表示之二价基团;R1及R2各自独立地表示一个选自氢原子、C1-20烷基、C6-60芳基、C4-60一价杂环化合物基及氰基之基团;及n为0或1,式(2)至(7)中,X1.X3.X5.X7及X9各自独立地表示一个选自-CR21=CR22-、-CR23=N-、-N=CR24-、-O-CO-、-CR25R26-、-CO-、-O-、-S-、-Se-、-NR27-及-SiR28R29-之基团;X2.X4.X6.X8及X10至X13各自独立地表示一个选自-CR30=及-N=之基团;R3至R30各自独立地表示一个氢原子或一个取代基其系选自C1-20烷基、C1-20烷氧基、C1-20烷硫基、C1-60烷基矽烷基、C1-40烷基胺基、C6-60芳基、C6-60芳氧基、C6-60芳基矽烷基、C6-60芳基胺基、C7-60芳基烷基、C7-60芳基烷氧基、C7-60芳基烷基矽烷基、C7-60芳基烷基胺基、C7-60芳基烯基、C7-60芳基炔基、C4-60一价杂环化合物基及氰基;R3至R30中之至少一者非为氢原子,-Ar2-(CR36=CR37)n- (8)式中,Ar2表示伸芳基或二价杂环化合物基,但该基非以式(2)至(7)之任一者表示;Ar2含有一或多个取代基;当Ar2有多个取代基时,其可相同或相异;R36及R37各自独立地表示一个选自氢原子、C1-20烷基、C6-60芳基、C4-6一价杂环化合物基及氰基之基团;以及m表示0或1。2.如申请专利范围第1项之高分子萤光物质,其中式(1)之Ar1有一或多个选自芳基及一价杂环化合物基之取代基。3.如申请专利范围第1或2项之高分子萤光物质,其中式(1)之Ar1系以式(1')表示,式中,R1'及R2'各自独立地表示一个选自C1-20烷基、C1-20烷氧基、C1-20烷硫基、C1-60烷基矽烷基、C1-40烷基胺基、C6-60芳基、C6-60芳氧基、C6-60芳基矽烷基、C6-60芳基胺基、C7-60芳基烷基、C7-60芳基烷氧基、C7-60芳基烷基矽烷基、C7-60芳基烷基胺基、C7-60芳基烯基、C7-60芳基炔基、C4-60一价杂环化合物基及氰基之基团;m'及n'各自独立地为0至3之整数;但m'及n'非同时为0;当m'为2或2以上时,二或多个R1'可相同或相异;当n'为2或2以上时,多个R2'可相同或相异;此外,R1'及R2'可连结而形成一个环。4.如申请专利范围第1或2项之高分子萤光物质,其中式(8)之Ar2系以式(2')表示,式中,R3'及R4'各自独立地表示一个选自氢原子、C1-20烷基、C6-60芳基及C4-60杂环化合物基之基团;R5'及R6'各自分别表示一个选自C1-20烷基、C1-20烷氧基、C1-20烷硫基、C1-60烷基矽烷基、C1-40烷基胺基、C6-60芳基、C6-60芳氧基、C6-60芳基矽烷基、C6-60芳基胺基、C7-60芳基烷基、C7-60芳基烷氧基、C7-60芳基烷基矽烷基、C7-60芳基烷基胺基、C7-60芳基烯基、C7-60芳基炔基、C4-60一价杂环化合物基及氰基之基团;k'及1'各自分别为0至3之整数;当k'为2或2以上时,多个R5'可相同或相异;当1'为2或2以上时,多个R6'可相同或相异;R3'-R6'可共同连结而形成一个环。5.如申请专利范围第1或2项之高分子萤光物质,其中式(1)之Ar1系以式(1')表示,以及式(8)之Ar2系以式(2')表示。6.如申请专利范围第1或2项之高分子萤光物质,其中式(1)及(8)表示之重复单位总量以全部重复单位总量为基准为50莫耳%或以上,以及式(1)表示之重复单位量以式(1)及(8)表示之重复单位总量为基准为0.1莫耳%或以上至95莫耳%或以下。7.如申请专利范围第1或2项之高分子萤光物质,其中式(1)及(8)表示之重复单位总量以全部重复单位总量为基准为50莫耳%或以上,以及式(1)表示之重复单位量以式(1)及(8)表示之重复单位总量为基准为5莫耳%或以上至95莫耳%或以下。8.一种高分子发光装置,包括至少一发光层介于一对阳极及阴极组成的电极间,其中至少一电极为透明或半透明,该发光层包括如申请专利范围第1或2项之高分子萤光物质。9.如申请专利范围第8项之高分子发光装置,其复包括一层包含导电聚合物层设置于一电极与该发光层间,让该含导电聚合物层系毗邻于该电极。10.如申请专利范围第8项之高分子发光装置,其复包括厚度为2毫微米或以下之绝缘层设置于一电极与该发光层间,让绝缘层系毗邻于该电极。11.如申请专利范围第8至10项中任一项之高分子发光装置,其复包括一层包含电子传输化合物层设置于阴极与发光层间,让包括电子传输化合物之层系毗邻于该发光层。12.如申请专利范围第8至10项中任一项之高分子发光装置,其复包括一层包括电洞传输化合物层设置于阴极与发光层间,让包括电洞传输化合物之层系毗邻于该发光层。13.如申请专利范围第8至10项中任一项之高分子发光装置,其复包括一层含电子传输化合物之层以及一层含电洞传输化合物之层设置于该阴极与发光层间,让包括电子传输化合物之层系毗邻于发光层,以及包括电洞传输化合物之层系毗邻于发光层。14.如申请专利范围第8至10项中任一项之高分子发光装置,其系用于平面光源中。15.如申请专利范围第8至10项中任一项之高分子发光装置,其系用于分段显示器中。16.如申请专利范围第8至10项中任一项之高分子发光装置,其系用于点阵显示器中。17.如申请专利范围第8至10项中任一项之高分子发光装置,其系用作液晶显示器的背光。 |
