| 主权项 |
1.一种发光二极体改良结构,系具有一模型体,所述模型体系包括有一用以固定晶片之杯座的中央部;其改良包括:一刚性壁,系相对向下延伸于该中央部的形成在所述中央部之周边;以及至少一可被定义为接合部的臂状单元,系具有一在底部的端面,可接触在电路板之一金属导电层计划区域上,用以与所述计划区域共同传导发光二极体工作时产生之热量者。2.如申请专利范围第1项所述之发光二极体改良结构;其中,该臂状单元系至少包括一第一臂状单元和一第二臂状单元;该第一臂状单元系可与中央部共同被定义为阴极端,而使第二臂状单元被定义为阳极端者。3.如申请专利范围第1或2项所述之发光二极体改良结构;其中,至少一第二臂状单元系被配置在该模型体之一缺口部分者。4.如申请专利范围第1或2项所述之发光二极体改良结构;其中,该第二臂状单元系可沿刚性壁的一侧方被布置者。5.如申请专利范围第1项所述之发光二极体改良结构;其中,该模型体刚性壁的内部系界定有至少一槽室或腔室,和槽室或腔室一端上的开口者。6.如申请专利范围第1或5项所述之发光二极体改良结构;其中,该槽室或腔室之内缘面系沿着轴线参考方向形成峰谷连续配置型态的几何形状或锯齿状轮廓组织者。7.如申请专利范围第1或5项所述之发光二极体改良结构;其中,该槽室或腔室之轴向长度系大于该模型体之高度者。8.如申请专利范围第1项所述之发光二极体改良结构;其中,该臂状单元之端面系具有一凸出的接脚者。9.如申请专利范围第1或8项所述之发光二极体改良结构;其中,该接脚系与该端面形成垂直状态者。10.如申请专利范围第1项所述之发光二极体改良结构;其中,该刚性壁的表面,沿着其轴线参考方向系形成有峰谷连续配置型态的几何形状或锯齿状轮廓组织者。11.如申请专利范围第1项所述之发光二极体改良结构;其中,该臂状单元的表面,沿着其轴线参考方向系形成有峰谷连续配置型态的几何形状或锯齿状轮廓组织者。12.如申请专利范围第1或11项所述之发光二极体改良结构;其中,该几何形状或锯齿状轮廓组织系从臂状单元的垂直轴方向延伸到水平轴方向者。13.如申请专利范围第1或2项所述之发光二极体改良结构;其中,该刚性壁至少一边系与第二臂状单元的上部形成相对倾斜面者。图式简单说明:第1图系在创作之立体外观示意图。第1-1图系第1图之断面剖视示意图。第1-2图系第1图之断面剖视示意图;但显示刚性壁内部具有槽室之第二实施例示意图。第1-3图系本创作第三实施例之局部断面剖视示意图;显示刚性壁内部具有二个槽室之情形。第1-4图系本创作第四实施例之局部断面剖视示意图;显示刚性壁槽室之另一态样。第1-5图系本创作第三实施例之俯视图。第1-6图系本创作第一实施例之另一断面剖视示意图;显示晶片封装成一整体状态之情形。第1-7图系本创作第二实施例之另一断面剖视示意图;显示晶片封装成一整体状态之情形。第2图系第1图之衍生实施例立体外观示意图。第2-1图系第2图之断面剖视示意图;显示第二实施例具有接脚之情形。第2-2图系第2图之局部断面剖视示意图;显示第三实施例具有接脚之情形。第2-3图系第2-1图之实施例之俯视示意图;显示第二实施例之接脚之关系位置的情形。第2-4图系第2-3图之另一断面剖视示意图;显示晶片封装成一整体状态之情形。第3图系第1图之另一衍生实施例立体外观示意图。第3-1图系第3图之新生实施例之局部断面剖视示意图。第3-2图系第3-1图之实施例之俯视示意图。第3-3图系第3-1之另一断面剖视示意图;显示晶片封装成一整体状态之情形。第4图系第3图一衍生实施例立体外观示意图。第4-1图系第4图之衍生实施例之局部断面剖视示意图。第4-2图系第4-1图之另一断面剖视示意图;显示晶片封装成一整体状态之情形。第5图系第3图又一衍生实施例立体外观示意图。第5-1图系第5图之衍生实施例之立体剖视示意图。第5-2图系第5-1图之实施例之俯视示意图。第5-3图系第5-2图之实施例之另一断面剖视示意图;显示晶片封装成一整体状态之情形。第6图系第5图之一衍生实施例立体外观示意图。第6-1图系第6图之衍生实施例之断面剖视示意图。第6-2图系第6-1图之实施例之俯视示意图。第6-3图系第6-2图之实施例之另一断面剖视示意图;显示晶片封装成一整体状态之情形。第7图系本创作之一实施例之立体外观图;显示具有较大区域的中央部之情形。第8图系第7图之一衍生实施例之立体外观图。第8-1图系第8图之断面剖视示意图。第9图系第7图之另一衍生实施例之立体外观图。第10图系第8-1图之平面剖视示意图;显示晶片封装成一整体状态之情形。第11图系第7图之再一衍生实施例之立体外观图。第12图系第8图之又一衍生实施例之立体外观图。第13图系第9图之一衍生实施例之立体外观图。第14图系第13图之一断面剖视示意图;显示晶片封装成一整体状态之情形。 |
