| 主权项 |
1.一种在矽基材上制备结晶硷土金属氧化物之方法,包括下列步骤:在基材表面上提供具二氧化矽之矽基材,该二氧化矽具有昇华温度;加热该基材至低于二氧化矽昇华之温度;及使基材表面曝露至硷土金属束中,以产生结晶性之硷土金属氧化物。2.根据申请专利范围第1项之在矽基材上制备结晶硷土金属氧化物之方法,其中硷土金属包含钡、锶、钙、镁及其组合之一。3.根据申请专利范围第2项之在矽基材上制备结晶硷土金属氧化物之方法,其中硷土金属包含钡。4.根据申请专利范围第2项之在矽基材上制备结晶硷土金属氧化物之方法,其中硷土金属包含钡及锶两者。5.根据申请专利范围第1项之在矽基材上制备结晶硷土金属氧化物之方法,其中在基材表面提供具有二氧化矽之矽基材之步骤包含在表面提供具有自然氧化物,或提供矽基材及在表面形成氧化物之步骤之一。6.根据申请专利范围第1项之在矽基材上制备结晶硷土金属氧化物之方法,其中使基材加热至低于二氧化矽昇华温度之温度之加热步骤包含使基材在700至800℃之范围加热。7.根据申请专利范围第1项之在矽基材上制备结晶硷土金属氧化物之方法,其中使基材表面曝露至硷金属束之步骤系在分子束取向生长室中进行。8.根据申请专利范围第7项之在矽基材上制备结晶硷土金属氧化物之方法,其中在分子束取向生长室中使基材表面曝露至硷金属束之步骤包含将室中压力减压至10-9至10-10拖耳范围。9.根据申请专利范围第1项之在矽基材上制备结晶硷土金属氧化物之方法,包含在曝露步骤期间藉RHEED技术追踪表面之步骤,以测定二氧化矽转化成结晶硷土金属氧化物。10.根据申请专利范围第1项之在矽基材上制备结晶硷土金属氧化物之方法,包含除了在基材上形成材料额外层之步骤以外随后进行曝露步骤。11.一种在矽基材上制备结晶硷土金属氧化物之方法,包括下列步骤:在基材表面上提供具二氧化矽之矽基材,该二氧化矽具有昇华温度;使该基材加热至700至800℃范围之温度;及使基材表面在10-9至10-10拖耳范围之压力下于分子束取向生长室中,曝露至硷土金属束中;及在曝露期间藉RHEED技术追踪表面以测定非晶形二氧化矽转化成结晶硷土金属氧化物。12.根据申请专利范围第11项之在矽基材上制备结晶硷土金属氧化物之方法,其中硷土金属包含钡、锶、钙、镁及其组合之一。13.根据申请专利范围第12项之在矽基材上制备结晶硷土金属氧化物之方法,其中硷土金属包含钡。14.根据申请专利范围第12项之在矽基材上制备结晶硷土金属氧化物之方法,其中硷土金属包含钡及锶两者。15.根据申请专利范围第11项之在矽基材上制备结晶硷土金属氧化物之方法,其中在基材表面提供具有二氧化矽之矽基材之步骤包含在表面提供具有自然氧化物,或提供矽基材及在表面形成氧化物之步骤之一。16.根据申请专利范围第11项之在矽基材上制备结晶硷土金属氧化物之方法,包含除了形成额外材料层之步骤以外,随后进行非晶形氧化物转化成结晶硷土金属氧化物之步骤。17.一种在矽基材上制备结晶硷土金属氧化物之方法,包括下列步骤:在基材表面上提供具非晶形二氧化矽之矽基材;使该基材加热至700至800℃范围之温度;及使基材表面在10-9至10-10拖耳范围之压力下于分子束取向生长室中,曝露至钡、锶及钡-锶之一之硷土金属束中;在曝露期间藉RHEED技术追踪表面以测定非晶形二氧化矽转化成结晶氧化钡、氧化锶及钡-锶氧化物之一;及形成材料额外层随后使非晶形二氧化物转化成结晶氧化钡、氧化锶及钡-锶氧化物之一。18.根据申请专利范围第17项之在矽基材上制备结晶硷土金属氧化物之方法,其中在基材表面提供具有二氧化矽之矽基材之步骤包含在表面提供具有自然氧化物,或提供矽基材及在表面形成氧化物之步骤之一。图式简单说明:图1为在表面上具有二氧化矽层之矽基材之剖面图;图2为图1中二氧化矽层转化成硷土金属氧化物之矽基材剖面图;及图3为图2中具有在硷土金属氧化物表面上形成之其他材料之矽基材剖面图。 |
