| 发明名称 | 烷基VA族金属化合物 | ||
| 摘要 | 本发明公开了通过三卤化VA族金属与有机锂试剂或式R<SUB>n</SUB>M<SUP>1</SUP>X<SUB>3－n</SUB>的化合物反应以高收率和高纯度制备二卤化单烷基VA族金属化合物的方法，其中R为烷基，M<SUP>1</SUP>为IIIA族金属，X为卤素且n为1至3的整数，这样的二卤化单烷基VA族金属化合物基本上不含含氧杂质，醚溶剂及金属杂质。通过将该二卤化单烷基VA族金属化合物还原可容易地以高收率和高纯度生产出二氢化单烷基VA族金属化合物。 | ||
| 申请公布号 | CN1445233A | 申请公布日期 | 2003.10.01 |
| 申请号 | CN03128658.5 | 申请日期 | 2003.01.17 |
| 申请人 | 希普雷公司 | 发明人 | D·V·谢奈－卡特哈特;M·B·鲍沃;A·阿曼希彦;R·L·小迪卡洛 |
| 分类号 | C07F9/28;C07F9/70;C07F9/00;C23C16/06;H01L21/306 | 主分类号 | C07F9/28 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 郭建新 |
| 主权项 | 1.一种制备二卤化单烷基VA族金属化合物的方法，其包括以下步骤：将三卤化VA族金属与一试剂反应，该试剂选自(C1-C10)烷基锂化合物和式RnM1X3-n的化合物，其中各R为(C1-C10)烷基，氨取代(C1-C10)烷基，芳基或取代芳基M1为IIIA族金属，X为卤素而n为1至3的整数，反应在无氧取代的有机溶剂中进行。 | ||
| 地址 | 美国马萨诸塞 | ||