| 发明名称 | 外延涂覆半导体晶片的方法及装置、以及外延涂覆的半导体晶片 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种在CVD反应器内外延涂覆半导体晶片正面的方法，半导体晶片正面暴露于含有源气体及载气的加工气体，并且半导体晶片背面暴露于置换气体，其中该置换气体含有不超过5体积％的氢气，结果，基本上避免了由氢气强化的掺杂物扩散出半导体晶片背面。依照本发明的方法，可以得一种基片电阻率≤100毫欧姆厘米且外延层电阻率＞1欧姆厘米的半导体晶片，其没有背面涂层，其中外延层的电阻不均匀性＜10％。 | ||
| 申请公布号 | CN1445817A | 申请公布日期 | 2003.10.01 |
| 申请号 | CN03119981.X | 申请日期 | 2003.03.14 |
| 申请人 | 瓦克硅电子股份公司 | 发明人 | 维尔弗里德·冯阿蒙;吕迪格·施默尔克;彼得·施托克;沃尔夫冈·西伯特 |
| 分类号 | H01L21/00;H01L21/205;H01L21/365;C23C16/44;C23C16/458 | 主分类号 | H01L21/00 |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人 | 过晓东 |
| 主权项 | 1、一种在CVD反应器内外延涂覆半导体晶片正面的方法，该半导体晶片正面暴露于含有源气体及载气的加工气体，并且半导体晶片背面暴露于置换气体，其中该置换气体含有不超过5体积％的氢气，基本上避免了由氢气强化的掺杂物扩散出半导体晶片背面。 | ||
| 地址 | 联邦德国布格豪森 | ||