发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
摘要 | 在金属布线的外部端子的附近形成形状与残余阻蚀膜相适应的下凹部分。金属布线的外部端子从下凹部分的侧面上伸出。通过这样构建外部端子,无论与焊接区相连的焊球在X,Y和Z方向上的哪一方向上移动,焊接区均可不受限制地随从焊球的位移而移动。因此,即使半导体器件和安装衬底因热膨胀系数的差异而具有相互间不同的伸长差异,此伸长也能被吸收。 | ||
申请公布号 | CN1445842A | 申请公布日期 | 2003.10.01 |
申请号 | CN02159895.9 | 申请日期 | 2002.12.24 |
申请人 | 恩益禧电子股份有限公司 | 发明人 | 野纯;泷泽朋子;前田武彦 |
分类号 | H01L23/48;H01L23/12;H01L21/60 | 主分类号 | H01L23/48 |
代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 章社杲 |
主权项 | 1.一种半导体器件,包括:在一个表面上具有电极的半导体元件;通过金属凸起与所述电极相连的金属布线;位于所述半导体元件和所述金属布线之间的绝缘树脂;和位于所述绝缘树脂内的下凹部分,所述金属布线的外部端子的自由端在所述下凹部分内伸出。 | ||
地址 | 日本东京都 |