发明名称 | 具有保护二极管的氮化硅只读存储器结构及其操作方法 | ||
摘要 | 一种具有保护二极管的氮化硅只读存储器结构,此结构是由基底、氮化硅只读存储器存储单元、N<SUP>+</SUP>掺杂区、N<SUP>+</SUP>保护环与多晶硅保护环构成。氮化硅只读存储器存储单元位于基底上。N<SUP>+</SUP>掺杂区位于基底中,且N<SUP>+</SUP>掺杂区与氮化硅只读存储器存储单元的一字符线电接触。N<SUP>+</SUP>保护环位于环绕N<SUP>+</SUP>掺杂区的基底中。多晶硅保护环位于N<SUP>+</SUP>掺杂区与N<SUP>+</SUP>保护环之间的基底上。 | ||
申请公布号 | CN1445857A | 申请公布日期 | 2003.10.01 |
申请号 | CN02107448.8 | 申请日期 | 2002.03.19 |
申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 郭东政 |
分类号 | H01L27/112;H01L21/8246 | 主分类号 | H01L27/112 |
代理机构 | 北京集佳专利商标事务所 | 代理人 | 王学强 |
主权项 | 1.一种具有保护二极管的氮化硅只读存储器结构,其特征为:该结构包括:一基底,该基底上具有一氮化硅只读存储器存储单元;一N+掺杂区,该N+掺杂区位于该基底中,且该N+掺杂区与该氮化硅只读存储器存储单元的一字符线电接触;一第一N+保护环,该第一N+保护环位于环绕该N+掺杂区的该基底中;以及一多晶硅保护环,该多晶硅保护环位于该N+掺杂区与该第一N+ 保护环之间的该基底上。 | ||
地址 | 台湾省新竹科学工业园区力行路16号 |