发明名称 | 具有致密包覆层的积层陶瓷电容器 | ||
摘要 | 一种具有致密包覆层的积层陶瓷电容器,包括一堆叠体及二分别位于该堆叠体两端的外部电极。该堆叠体具有至少三陶瓷层,以及数个分别夹设于两相邻陶瓷层间的内部电极。该两外部电极分别与该内部电极电性连接。其特征在于,该积层陶瓷电容器还包含一附着于该堆叠体的外周面上的包覆层,该包覆层的电阻值高于1000000百万欧姆且孔隙度低于千分之一,借以避免高电压时该积层陶瓷电容器的表面发生跳火现象。 | ||
申请公布号 | CN2577423Y | 申请公布日期 | 2003.10.01 |
申请号 | CN02252520.3 | 申请日期 | 2002.08.30 |
申请人 | 禾伸堂企业股份有限公司 | 发明人 | 唐锦荣 |
分类号 | H01G4/30;H01G4/12 | 主分类号 | H01G4/30 |
代理机构 | 上海专利商标事务所 | 代理人 | 任永武 |
主权项 | 1.一种具有致密包覆层的积层陶瓷电容器,它包括:一堆叠体,具有至少三陶瓷层,以及数个分别夹设于两相邻陶瓷层间的内部电极;以及二外部电极,分别位于该堆叠体的两端并分别与该内部电极电性连接;其特征在于,该积层陶瓷电容器还包含:一包覆层,附着于该堆叠体的外周面上,该包覆层的电阻值高于1000000百万欧姆且孔隙度低于千分之一。 | ||
地址 | 台湾省台北市内湖区环山路二段62号1楼 |