发明名称 漏电流减少的装置和电路及减少漏电流的方法
摘要 简要地说,按照本发明的一个实施例,一种集成电路具有电压发生器,所述电压发生器有选择地增加在晶体管的沟道区域上的相对于晶体管的源极区域的电压电位。
申请公布号 CN1446403A 申请公布日期 2003.10.01
申请号 CN01814080.7 申请日期 2001.06.01
申请人 英特尔公司 发明人 K·维拉德;L·克拉克
分类号 H03K19/00 主分类号 H03K19/00
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 代理人 王岳;梁永
主权项 1.一种具有集成电路的装置,所述集成电路包括:具有源极区域和本体区域的第一晶体管;适用于向第一晶体管的源极区域提供第一电压电位的第一电路;以及适用于向第一晶体管的源极区域有选择地提供第二电压电位的第二电路,其中所述第二电压电位大于第一电压电位。
地址 美国加利福尼亚州