| 发明名称 | 半导体制造装置、半导体制造系统和衬底处理方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种需要时可以只供给需要量衬底处理方面直接地或间接地使用的液体、气体或固体等物质，能够实现供给设备或输送设备小型化的半导体制造装置、半导体制造系统和衬底处理方法。半导体制造装置1和半导体制造系统具备缓冲部件4。缓冲部件4是暂时性贮存由外部供给源20供给的，衬底处理方面需要的物质，并可将该贮存的物质供给处理室2。物质的供给是通过控制部件6、LAN13由CIM来进行控制。 | ||
| 申请公布号 | CN1445822A | 申请公布日期 | 2003.10.01 |
| 申请号 | CN03119636.5 | 申请日期 | 2003.03.13 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 中尾隆;宫崎邦浩 |
| 分类号 | H01L21/205;H01L21/00 | 主分类号 | H01L21/205 |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 | 代理人 | 陈海红;段承恩 |
| 主权项 | 1、一种半导体制造装置，其特征是具备由外部供给源供给衬底处理方面需要的物质，贮存该供给的物质，可将该贮存的物质供给外部的缓冲部件。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||