| 发明名称 | 产生辐射的半导体芯片和发光二极管 | ||
| 摘要 | 本发明提出了高功率发光二极管用的半导体芯片(1)，其纵侧比其横侧长得多，从而明显地提高了光输出。 | ||
| 申请公布号 | CN1446380A | 申请公布日期 | 2003.10.01 |
| 申请号 | CN01814019.X | 申请日期 | 2001.07.24 |
| 申请人 | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 | 发明人 | J·保尔;D·埃泽尔特;M·费雷尔;B·哈恩;V·海勒;U·雅各布;W·普拉斯;U·斯特劳斯;J·维尔克尔;U·策恩德尔 |
| 分类号 | H01L33/00 | 主分类号 | H01L33/00 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 苏娟;赵辛 |
| 主权项 | 1.产生辐射的半导体芯片，具有一层包括一个发射电磁辐射的区域的有源层(2)和一个该辐射能穿透的衬底(3)，在该衬底上设置该有源层，该半导体芯片具有横侧(9)和纵侧(6)，它们侧向界定有源区延伸方向上的半导体芯片，并通过它们输出该辐射的至少一部分，其特征为，至少一个作为输出面用的纵侧(6)在该有源区的延伸方向内比一个横侧(9)长。 | ||
| 地址 | 德国雷根斯堡 | ||