| 发明名称 | 制造适合于图象传感器的半导体装置的方法 | ||
| 摘要 | 在制造适合于图象传感器的半导体装置的方法中，在一衬底上形成一下部绝缘层之后在该下部绝缘层上形成一结合区。接着，在该衬底上形成一上部绝缘层以覆盖该结合区。该上部绝缘层被有选择地去除以露出该结合区的顶部部分。随后，在该衬底上形成一保护层。在该保护层上形成若干滤色元件之后，形成一平面层以覆盖这些滤色元件。最后，在平面层形成上若干微透镜。 | ||
| 申请公布号 | CN1445816A | 申请公布日期 | 2003.10.01 |
| 申请号 | CN02124421.9 | 申请日期 | 2002.06.26 |
| 申请人 | 东部电子株式会社 | 发明人 | 金载甲 |
| 分类号 | H01L21/00;H01L27/146;H04N5/335 | 主分类号 | H01L21/00 |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人 | 王敬波 |
| 主权项 | 1、制造适合于图象传感器的半导体装置的方法，该方法包括以下步骤：在一衬底上形成一下部绝缘层；在该下部绝缘层上形成一结合区；在该下部绝缘层上形成一上部绝缘层以覆盖该结合区；有选择地去除该上部绝缘层以暴露该结合区的顶部部分；在该上部绝缘层上形成一保护层以保护该结合区的暴露部分；在该保护层上形成多个滤色元件；形成一平面层以覆盖这些滤色元件；以及在该平面层上形成多个微透镜。 | ||
| 地址 | 韩国汉城 | ||