发明名称 一种高压传输控制的电路结构
摘要 本实用新型是一种高压传输控制的电路结构。现有技术中高压传输控制的电路结构规模大,工艺复杂,制作麻烦。本实用新型利用两个NMOS实现了数字信号对高压信号的传输控制,大大简化了高压传输控制电路的复杂度。本实用新型电路结构简单,制备方便,使用效果良好。
申请公布号 CN2577505Y 申请公布日期 2003.10.01
申请号 CN02260524.X 申请日期 2002.10.08
申请人 上海复旦微电子股份有限公司 发明人 杨庆森
分类号 H03K17/56;H03K17/687 主分类号 H03K17/56
代理机构 上海市华诚律师事务所 代理人 徐申民
主权项 一种高压传输控制的电路结构,由两个NMOS组成,其特征是一个NMOS开关管m1,m1的有源区a端是高压传输控制逻辑,m1有源区的另一端是在另一个NMOS开关管m2的第一层栅d上,m1的栅极是接逻辑高电平vdd;另一个NMOS开关管m2是双栅结构,其第一层栅是连接m1有源区的d端,其第二层栅与m2的有源区短接到c端,两层栅板构成了一个电容Cs;m2有源区的另一端b作为高压的输出端。
地址 200001上海市北京东路668号科技京城C区7楼
您可能感兴趣的专利