发明名称 |
一种高压传输控制的电路结构 |
摘要 |
本实用新型是一种高压传输控制的电路结构。现有技术中高压传输控制的电路结构规模大,工艺复杂,制作麻烦。本实用新型利用两个NMOS实现了数字信号对高压信号的传输控制,大大简化了高压传输控制电路的复杂度。本实用新型电路结构简单,制备方便,使用效果良好。 |
申请公布号 |
CN2577505Y |
申请公布日期 |
2003.10.01 |
申请号 |
CN02260524.X |
申请日期 |
2002.10.08 |
申请人 |
上海复旦微电子股份有限公司 |
发明人 |
杨庆森 |
分类号 |
H03K17/56;H03K17/687 |
主分类号 |
H03K17/56 |
代理机构 |
上海市华诚律师事务所 |
代理人 |
徐申民 |
主权项 |
一种高压传输控制的电路结构,由两个NMOS组成,其特征是一个NMOS开关管m1,m1的有源区a端是高压传输控制逻辑,m1有源区的另一端是在另一个NMOS开关管m2的第一层栅d上,m1的栅极是接逻辑高电平vdd;另一个NMOS开关管m2是双栅结构,其第一层栅是连接m1有源区的d端,其第二层栅与m2的有源区短接到c端,两层栅板构成了一个电容Cs;m2有源区的另一端b作为高压的输出端。 |
地址 |
200001上海市北京东路668号科技京城C区7楼 |