发明名称 静电放电防护电路
摘要 一种静电放电防护电路,该静电放电防护电路形成于一P型基底上,并电连接于一形成于该P型基底上的内部电路以防护该内部电路,该静电放电防护电路包含有复数个N井以及一电连接于一电源供应端的共同放电带,每一N井设于该P型基底中,且其内设有一P<SUP>+</SUP>扩散区域以及一N<SUP>+</SUP>扩散区域,该共同放电带则电连接于该复数个N井内的N<SUP>+</SUP>扩散区域,其中每一N井内的P<SUP>+</SUP>扩散区域电连接于一对应的接合垫,该静电放电防护电路亦可形成于一N型基底上,只需将其他相关元件的P/N型属性加以对调即可;相较于知的静电放电防护电路会因元件尺寸的缩小而使得其骤回崩溃现象愈难加以控制,本发明的静电放电防护电路单纯地利用二极管的操作原理,故在设计及制造时其所需考虑的因素会较少。
申请公布号 CN1445850A 申请公布日期 2003.10.01
申请号 CN02155287.8 申请日期 2002.12.12
申请人 联华电子股份有限公司 发明人 陈孝贤;唐天浩
分类号 H01L23/60 主分类号 H01L23/60
代理机构 北京三友知识产权代理有限公司 代理人 陈红
主权项 1.一种静电放电防护电路,该静电放电防护电路形成于一P型基底上,并电连接于一形成于该P型基底上的内部电路以防护该内部电路,其特征是:该静电放电防护电路包含有:复数个N井设于该P型基底中,而每一N井中设有一P+扩散区域以及一N+扩散区域;以及一共同放电带,电连接于该复数个N井内的N+扩散区域;其中每一N井内的P+扩散区域电连接于一对应的接合垫。
地址 台湾省新竹市