光学开关元件及其制造方法

摘要

利用化学气相沉积方法(CVD方法)形成下包层、核心和上包层。至少调整氮氧化硅的氧的添加量，氮的添加量和硅的添加量之一，以便核心具有高于包层的所需折射率。此外，形成终点检测器，在刻模形成核心的过程中，所述终点检测器变成干蚀刻的蚀刻限位器。

主权项

1、一种光学开关元件，包括：在半导体基底上形成的包层；和被所述包层覆盖，并且使之具有比所述包层高的折射率从而形成光路的核心，其中所述核心由氮氧化硅形成，并且通过调整氧的增添量，氮的增添量和硅的增添量中至少之一，控制所述核心具有所需的折射率。