| 主权项 |
1.一种用于半导体之磨光剂,含有重量平均粒径为0 .1至0 .35m且微晶大小为150至600A之氧化铈颗粒。2.如申 请专利范围第1项用于半导体之磨光剂,其中该氧 化铈颗粒的比表面积为9至55m2/g。3.如申请专利范 围第1项用于半导体之磨光剂,其中该氧 化铈颗粒中杂质钠的含量不高于10ppm。4.一种用于 半导体之磨光剂,其为一种含有水及氧化铈颗 粒之悬浮液,该氧化铈颗粒之重量平均粒径为0.1至 0.35 m且微晶大小为150至600A,系以0.1至20wt%之浓度悬 浮 于水中。5.如申请专利范围第4项用于半导体之磨 光剂,其中该氧 化铈颗粒的比表面积为9至55m2/g。6.如申请专利范 围第4项用于半导体之磨光剂,其中该氧 化铈颗粒中杂质钠的含量不高于10ppm。7.如申请专 利范围第4项用于半导体之磨光剂,其中该悬 浮液系经杀菌处理。8.如申请专利范围第1项用于 半导体之磨光剂,系用于藉 由磨光以去除至少一部份在半导体基材上所形成 的绝缘膜 。9.一种用于制造如申请专利范围第1项所定义用 于半导体 之磨光剂的方法,其中令碳酸铈以湿式粉碎、乾燥 、然后 在600至800℃之温度段烧。10.如申请专利范围第9项 制造半导体用磨光剂之方法,其 中该湿式粉碎系于非水性溶剂中进行。 |
