| 主权项 |
1.一种用于抛光一工件表面之装置,包括:一可旋转 转台 组件;一支撑在该组件上之抛光垫;一可旋转载体, 位于 该组件上方并适可于抛光期间固持该工件,其中该 工件固 定至载体下表面上并定位于该载体与该抛光垫间, 当一力 量施加至该晶圆载体之上表面以将该晶圆接触抛 光垫时, 该晶圆载体对晶圆表面提供一力量,使得该抛光程 序于工 件上形成一平坦抛光表面;及配置于抛光垫表面上 方之喷 雾装置,其具有多数开口;及将一化学研磨浆进给 进入该 喷雾装置之压力装置,其迫使该研磨浆通过开口形 成一冲 击在抛光垫表面上之喷雾。2.根据申请专利范围 第1项之装置,其中该工件为一半导 体晶圆。3.根据申请专利范围第2项之装置,其中该 喷雾装置定位 以喷洒抛光研磨浆于抛光垫表面之约一半直径上 。4.根据申请专利范围第3项之装置,其中该喷雾装 置包含 一延长密封容器,其具有多数于垫表面上均匀间隔 于容器 中之开口。5.根据申请专利范围第4项之装置,其中 该开口包含该处 中之喷嘴。6.根据申请专利范围第2项之装置,其中 该抛光垫为聚氨 酯。7.根据申请专利范围第6项之装置,其中该喷雾 装置将该 抛光研磨浆喷洒于抛光垫表面之约一半直径上。8 .根据申请专利范围第7项之装置,其中该喷雾装置 包含 一延长密封容器,其设有多数于垫表面上均匀间隔 于该容 器中之开口。9.根据申请专利范围第8项之装置,其 中该开口包含该处 中之喷嘴。10.根据申请专利范围第9项之装置,其 中该喷雾之压力约 为20-50磅/平方寸。11.一种采用一抛光垫以抛光工 件表面之方法,其中利用 一抛光装置,其包含将一抛光研磨浆以小滴或喷雾 形式喷 洒至该垫表面上之抛光垫。12.根据申请专利范围 第11项之方法,其中该工件安装至 一可旋转晶圆载体之下表面,且该工件与一旋转抛 光垫相 接触,以对该工件进行抛光作用,该方法包含将该 工件安 装至载体下表面、将一力量施加至载体上表面以 使该工件 接触该旋转抛光垫、并从喷雾装置将一抛光研磨 浆以小滴 或喷雾形式喷到抛光垫表面上之步骤。13.根据申 请专利范围第12项之方法,其中该工件为一半 导体晶圆。14.根据申请专利范围第13项之方法,其 中该抛光研磨浆 喷洒到抛光垫之约一半直径上。15.根据申请专利 范围第14项之方法,其中来自该喷雾装 置之喷雾系由喷嘴加以提供。16.根据申请专利范 围第15项之方法,其中该抛光垫为聚 氨酯。17.根据申请专利范围第13项之方法,其中该 喷雾装置为 一于该处中设有多数开口之闭合延长配送器。18. 根据申请专利范围第17项之方法,其中该喷嘴固定 至 于开口中并定位于配送器中,以对该垫表面上提供 一均匀 喷雾。19.根据申请专利范围第11项之方法,其中该 抛光垫为聚 氨酯。20.根据申请专利范围第18项之方法,其中该 抛光研磨浆 为矽基。21.根据申请专利范围第20项之方法,其中 该喷雾之压力 约为20-50磅/平方寸。22.一种制造物件,包括用于将 一抛光研磨浆喷洒至一抛 光垫上之喷雾装置,其中该晶圆或其他待抛光电子 组件基 材,系由一载体对一该处上具有研磨浆之旋转抛光 垫紧压 固持,该载体对晶圆表面提供一力量,并传递一平 坦抛光 后表面于晶圆之上。23.根据申请专利范围第22项 之物件,其中该喷雾装置包 含一闭合延长管,其设有多数之开口以提供该抛光 研磨浆 之喷雾。24.根据申请专利范围第21项之物件,其中 于喷雾装置之 开口中利用该喷嘴。25.根据申请专利范围第24项 之物件,其中该喷嘴为高度 分散喷嘴。图式简单说明:第一图为利用本发明之 喷雾装 置用于抛光半导体晶圆之一典型CMP装置之示意图 示。第 二图为本发明之一喷雾装置之一俯视平面视图。 |
