| 主权项 |
1.一种在半导体基底上制造动态随机存取记忆体 的方法, 包括下列步骤:形成一绝缘层于该半导体基底中, 并以一 绝缘体上矽层覆盖于该绝缘层;在该绝缘体上矽层 上形成 一垫氧化矽层;在该氧化矽层、绝缘体上矽层、绝 缘层以 及该半导体基底的上部分形成一垂直沟渠;在暴露 于该垂 直沟渠之绝缘层中形成一横向沟渠;在该垂直沟渠 及横向 沟渠暴露的边缘沉积一第一多晶矽层;在该多晶矽 层上形 成一介电层;在该介电层上沉积第二多晶矽层而将 该垂直 沟渠及横向沟渠完全填满;在该垂直沟渠及横向沟 渠中形 成一电容结构,这其中包括由该第一多晶矽层所形 成之一 储存节点结构;由该介电层所形成之一电容介电层 ;以及 由该第二多晶矽层所形成之一晶胞平板结构。而 这储存节 点结构也使该绝缘体上矽层连接于该半导体基底; 以及在 该绝缘体上矽层中形成一转移闸电晶体。2.如申 请专利范围第1项所述之方法,其中在该半导体中 该绝缘层是由一厚度约1500-3000埃之氧化矽利用氧 气植 入和高温回火过程以一氧气植入隔离过程所形成 的。3.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该绝 缘体上矽 层系具有结晶方位为<100>的P型单晶矽,该绝缘体上 矽 层之厚度约为1500-3000埃而其电阻率约为10-50欧姆- 公 分。4.如申请专利范围第1项所述之方法,其中直径 约0.30-0. 60微米之该垂直沟渠是以一非等向性离子蚀刻制 程所形成 ;对该垫氧化矽层和该绝缘层使用含氟蚀刻剂,以 及对该 绝缘体上矽层与该半导体基底使用含氯蚀刻剂。5 .如申请专利范围第1项所述之方法,其中在该半导 体基 底的垂直沟渠深度大约为1.0-5.0微米。6.如申请专 利范围第1项所述之方法,其中该侧向沟渠的 形成是利用一缓冲的氢氟酸溶液除去暴露在垂直 沟渠中该 绝缘层;而该侧向沟渠在该绝缘体上矽层和该半导 体基底 之间的绝缘层中延伸了约0.20-1.0微米。7.如申请专 利范围第1项所述之方法,其中该第一多晶矽 层系一P型层,以低压化学气相沉积法并同时掺杂, 将其 沉积至约750-1000埃的厚度。8.如申请专利范围第1 项所述之方法,其中该介电层系一 五氧化二钽层,相当于40-150埃之氧化矽的厚度。9. 如申请专利范围第1项所述之方法,其中该介电层 是由 氧氮氧化合物所形成,这相当于40-150埃之氧化矽的 厚度 。10.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该第 二多晶矽 层是以低压化学气相沉积法沉积至约1000-2500埃的 厚度 。11.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该电 容结构是 在该垂直沟渠及侧向沟渠间以一非等向性离子蚀 刻制程所 形成;从该第二多晶矽层利用含氯蚀刻剂形成该晶 胞平板 结构;从该介电层利用含氟蚀剂形成该电容介电层 ;以及 从第一多晶矽层利用含氯蚀刻剂形成该储存节点 结构。12.如申请专利范围第1项所述之方法,该转 移闸电晶体包 含一厚度约60-120埃之氧化矽闸型绝缘层、一厚度 约1500 -4000埃之多晶矽闸结构、以离子注入之轻量掺杂 剂源极 及汲极区、在该多晶矽闸型结构边缘上厚度约1000 -3000 埃之氧化矽闸间隙以及一离子注入之重量掺杂剂 源极及汲 极区。13.一种动态随机存取记忆体晶胞的制造方 法,该动态随 机存取记忆体晶胞具有一二维沟渠电容结构,形成 于一半 导体基底之一绝缘体上矽层上方,并利用该沟渠电 容结构 之储存节点结构来连接该绝缘体上矽层至该半导 体基底, 包括下列步骤:在该绝缘体上矽层下之该半导体基 底中产 生一绝缘层;在该绝缘体上矽层上形成一垫氧化层 ;在该 垫氧化层、绝缘体上矽层、绝缘层、以及半导体 基底的上 部份以非等向反应性蚀刻来产生一垂直沟渠;在暴 露于该 垂直沟渠之该绝缘层以等向反应性蚀刻来产生一 侧向沟渠 ;利用同时掺杂制程沉积一第一多晶矽层用以覆盖 该垂直 沟渠边缘和侧向沟渠边缘,以及连接该绝缘体上矽 层至该 半导体基底;在该第一多晶矽层上形成一介电层; 在该介 电层上沉积一第二多晶矽层来完全填满该垂直沟 渠及侧向 沟渠;以及在该第二多晶矽层、该介电层和该第一 多晶矽 层中,以非等向反应性蚀刻产生该二维沟渠电容结 构;该 二维沟渠电容结构包括了从该第二多晶矽层形成 之一晶胞 平板;从该介电层形成之一电容介电层;以及从该 第一多 晶矽层形成之该储存节点结构,使该储存节点结构 将该绝 缘体上矽层连接至该半导体基底。14.如申请专利 范围第13项所述之方法,其中在该半导体 中的绝缘层是由一厚度约1500-3000埃之氧化矽以一 氧气 植入隔离过程所形成的。15.如申请专利范围第13 项所述之方法,其中该绝缘体上 矽层系具有结晶方位为<100>的P型单晶矽,该绝缘体 上 矽层之厚度约为1500-3000埃而其电阻率约为10-50欧 姆- 公分。16.如申请专利范围第13项所述之方法,其中 该垂直沟渠 是以一非等向性离子蚀刻制程所形成;对该垫氧化 矽层和 该绝缘层使用含氟蚀刻剂,而对该绝缘体上矽层与 该半导 体基底使用含氯蚀刻剂。17.如申请专利范围第13 项所述之方法,其中该垂直沟渠 有一直径约0.30-0.60微米。18.如申请专利范围第13 项所述之方法,其中该半导体基 底中该垂直沟渠深度大约为1.0-5.0微米。19.如申请 专利范围第13项所述之方法,其中该侧向沟渠 是利用一缓冲的氢氟酸溶液,在暴露于该垂直沟渠 中绝缘 层的边缘面积所形成;而在该绝缘体上矽层和该半 导体基 底之间,该侧向沟渠延伸了约0.20-1.0微米。20.如申 请专利范围第13项所述之方法,其中该第一多晶 矽层系一P型层,以低压化学气相沉积法并同时掺 杂,将 其沉积至约750-1000埃的厚度。21.如申请专利范围 第13项所述之方法,其中该介电层系 一五氧化二钽层,相当于40-150埃之氧化矽的厚度。 22.如申请专利范围第13项所述之方法,其中该介电 层是 由氧氮氧化合物所形成,这相当于40-150埃之氧化矽 的厚 度。23.如申请专利范围第13项所述之方法,其中该 第二多晶 矽层是以低压化学气相沉积法沉积至约1000-2500埃 的厚 度。24.如申请专利范围第13项所述之方法,其中该 二维沟渠 电容结构的形成是利用非等向性离子蚀刻;在该第 二多晶 矽层利用含氯蚀刻剂形成该晶胞平板结构,在该介 电层利 用含氟蚀剂形成该电容介电层,以及在第一多晶矽 层利用 含氯蚀刻剂形成该储存节点结构。图式简单说明: 第一图 至第七图绘示乃在绝缘体上矽上结合二维沟渠电 容结构而 产生一动态随机存取记忆体晶胞的制程剖面图。 |
