半导体单结晶棒之切断装置及切断方法

摘要

[课题] 本发明的目的提供一种可在低价下快速切断各种不同半导体单结晶棒的装置及方法。[解决方法] 复数个金属线 6 经由金属线供给、卷取装置2、3 和金属线张力调整装置 4、5 以平行方式延伸。半导体单结晶棒 12经由一进给桌 10被固定在升降桌9上。升降桌 9 可由升降装置 7 驱动而升降。金属线 6和半导体单结晶棒 12 都浸渍在高绝缘油 15 中，且放电在其中产生以进行切断。如果半导体单结晶棒12的电阻率超过1Ω-cm，废弃惰性气体被充填入在密闭容器 1 的内部空间中。然后，高绝缘油 15 由加热器 16 加热，且保持温度高于 150℃，以降低半导体单结晶棒 12 的电阻率。因此，切断进行容易。废弃惰性气体可防止因为高绝缘油15的点燃而产生火灾。

主权项

1.一种半导体单结晶棒之切断装置,包括:复数个以 平行 方式伸展的金属线;沿着该等金属线的轴连续移动 该等金 属线的装置;供应电流至该等金属线的装置;加热 该等金 属线和一被切断的半导体单结晶棒被浸渍的高绝 缘油的装 置;保持该半导体单结晶棒且在垂直和水平方向上 移动的 装置;一收纳上述装置的密闭容器;供应和排除充 填在该 密闭容器和上述高绝缘油中的空间的惰性气体的 装置;以 及供应和排除该高绝缘油的装置。2.一种半导体 单结晶棒之切断方法,其特征在于:电流供 应至该等伸展金属线,以及一半导体单结晶棒经由 电流放 电而被切断。3.一种半导体单结晶棒之切断方法, 其特征在于:切断操 作在加热一半导体单结晶棒至高于室温后进行。4 .如申请专利范围第2或3项所述的半导体单结晶棒 之切断 方法,其中切断是在惰性气体环境中进行。5.如申 请专利范围第2或3项所述的半导体单结晶棒之切 断 方法,其是由在一储存高绝缘油的密闭容器的空间 中充填 惰性气体,或在都浸渍在该高绝缘油的一半导体单 结晶棒 和一金属线间放电而实行,其中切断操作是在加热 并维持 该高绝缘油在150℃以上后进行,以降低该半导体单 结晶 棒之电阻率。6.如申请专利范围第4项所述的半导 体单结晶棒之切断方 法,其是由在一储存高绝缘油的密闭容器的空间中 充填惰 性气体,或在都浸渍在该高绝缘油的一半导体单结 晶棒和 一金属线间放电而实行,其中切断操作是在加热并 维持该 高绝缘油在150℃以上后进行,以降低该半导体单结 晶棒 之电阻率。图式简单说明:第一图是一纵断面图, 显示半 导体单结晶棒切断装置之概略构成。