| 主权项 |
1.一种具有低触发电压之SCR静电放电防护装置,包含:基板,由第一导电型态之矽所构成;形成于该基板上,由重搀杂之第二导电型态的矽所构成之第一区与第二区,两区彼此相隔,该第二区接至负电源;形成于该基板上,由第二导电型态的矽所构成之井,该井与该第一区之一部份重叠且不包含该第二区;形成于该基板上,由经搀杂之第一导电型态的矽所构成之第三区,该第三区邻接于该第一区且不包含于该井内;形成于该井内,分别由重搀杂之第一与第二导电型态的矽所构成之第四区与第五区,两区彼此相隔,且共同外接至作为静电放电防护对象的电路;形成于该基板上,由重搀杂之第一导电型态的矽所构成之第六区,该第六区接至负电源;该第一区与第三区形成一个PN二极体,藉由适度地调高该第三区中第一导电型态的矽之浓度,可使该PN二极体具有相当低的崩溃电压,因而在静电放电发生时,轻易地使该PN二极体崩溃,而提供静电放电防护的功能。2.如申请专利范围第1项之SCR静电放电防护装置,其中该第三区系位于该第一区之侧而与其邻接。3.如申请专利范围第1项之SCR静电放电防护装置,其中该第三区系位于该第一区之下方而与其邻接。图式简单说明:第一图表示根据本发明之SCR静电放电防护装置之第一种实施例;第二图表示根据本发明之SCR静电放电防护装置之第二种实施例;第三图表示习知技术之SCR静电放电防护装置之构造;第四图表示另一种习知技术之SCR静电放电防护装置之构造。 |
