| 主权项 |
1.一种气相成长装置用的基座,系用以载置半导体晶圆而形成具有底面与侧壁之圆形凹状之凹处,其特征在于:于前述半导体晶圆与前述凹处侧壁接触之位置及其近旁之凹处圆周部,设有突出部非接触覆盖前述半导体导角部之一部份。2.如申请专利范围第1项之气相成长装置用的基座,其中前述突出部被设置如前述凹处底面与面向该底面侧之该突出部侧面所成的角度为锐角。3.如申请专利范围第2项之气相成长装置用的基座,其中前述突出部之前述侧面与前述凹处底面所成之角度为40-80。4.如申请专利范围第2项之气相成长装置用的基座,其中前述突出部之前述侧面与前述凹处底面所成之角度为60-75。5.如申请专利范围第1项之气相成长装置用的基座,其中前述突出部之高度为0.1-0.3mm。6.如申请专利范围第2项之气相成长装置用的基座,其中前述突出部之高度为0.1-0.3mm。7.如申请专利范围第1项之气相成长装置用的基座,其中前述半导体晶圆以大致直立之状态载置于前述凹处内。8.如申请专利范围第1项之气相成长装置用的基座,其中前述半导体晶圆以大致水平之状态载置于前述凹处内。9.如申请专利范围第1项之气相成长装置用的基座,其中前述半导体晶圆为矽单结晶晶圆。10.如申请专利范围第1项之气相成长装置用的基座,其中前述凹处侧壁设有复数个微小之突起。11.如申请专利范围第1-10项中任一项之气相成长装置用的基座,其中前述突出部设在前述凹处圆周部,全周圆1/12以上1/4以下之领域,覆盖前述半导体晶圆导角部之一部份。12.如申请专利范围第1项之气相成长装置用的基座,其中于前述凹处之侧壁近旁之底面设置沟。13.一种气相成长装置用的基座,系形成用以将矽单结晶晶圆以大致直立状态载置之具有底面与侧壁之圆形凹状之凹处的桶型气相成长装置用基座,其特征在于:在前述矽单结晶晶圆与前述凹处之侧壁接触之位置及其近旁之凹处圆周部下部,设有高度为0.1-0.3mm且面向凹处底面之侧面与凹处底面所成之角度为60-75的突出部,将该矽单结晶晶圆之导角部之一部以非接触覆盖。图式简单说明:第一图表示本发明之桶型气相成长装置用基座之一实施形态,(a)系凹处部分之侧断面图,(b)系上视图。第二图表示本发明之桶型气相成长装置用基座之凹处部分之其他实施形态的概略断面图。第三图表示桶型气相成长装置之一例的概略断面图。第四图(a)系表示桶型气相成长装置用基座之一侧的立体图。第四图(b)系表示发生架桥状态之概念图。第四图(c)系桶型气相成长装置用基座之概略展开图。第五图表示习知之桶型气相成长装置用基座之凹处部分的一例,(a)系上视图,(b)系侧断面图。第六图表示薄烤饼型气相成长装置之一例的概略断面图。第七图表示薄烤饼型气相成长装置用基座之一例的上视图。第八图表示薄烤饼型气相成长装置用基座之凹处部分的概略断面图。第九图表示本发明之薄烤饼型气相成长装置用基座之一实施形态的上视图。第十图表示第九图薄烤饼型气相成长装置用基座之凹处部分的概略断面图。 |
