单结晶制造装置及其制造方法

摘要

本发明的技术课题系针对于：利用上拉法(Pulling method或称Czochralski method)制作单结晶的过程当中,高精度地控制用来收容原料熔融液的坩锅的旋转,以资更为高精度地控制所制得的结晶当中的不纯物之浓度。本发明之用以解决这种技术课题之手段系就具备有:供收容原料熔融液的坩锅、及从上述熔融液将结晶上拉之机构、及对于上述熔融液施加预定方向的静磁场之机构、及令上述坩锅旋转之机构之利用上拉法作业之结晶制造装置,其特征为:在于令上述坩锅旋转之机构中使用变速装置。以及使用此一装置将上述坩锅的旋转精度控制保持在小于±0.02rpm的状态下进行制造结晶。

主权项

1.一种单结晶制造装置,系就具备有:供收容原料熔融液(2)的坩锅(1)、及从上述熔融液(2)将结晶上拉之机构(9)、及令上述坩锅旋转之机构(3,4)之以上拉法(Czochralski method)作业之单结晶制造装置,其特征为:在于令上述坩锅(1)旋转之机构(3,4)中使用变速装置。2.一种单结晶制造装置,系就具备有:供收容原料熔融液(2)的坩锅(1)、及从上述熔融液(2)将结晶上拉之机构(9)、及对于上述熔融液(2)施加预定方向的静磁场之机构(7)、及令上述坩锅(2)旋转之机构(3,4)之以上拉法(Czochralski method)作业之结晶制造装置,其特征为:在于令上述坩锅(1)旋转之机构(3,4)中使用变速装置。3.一种单结晶制造方法,系采用如申请范围第1或2项之单结晶制造装置将上述坩锅(1)的回转精度控制成小于0.02rpm之方法。4.一种单结晶制造方法,系采用如申请范围第1或2项之单结晶制造装置将上述坩锅(1)的回转精度控制保持在小于0.02rpm的状态下进行制造单结晶者。图式简单说明:第一图系显示本发明所设计的装置之一例的概略图。第二图系MCZ法的结晶制造装置的概略图。第三图系显示传统装置中的坩锅回转速度与结晶中的氧浓度之关系。第四图系显示实际测定坩锅的回转精度的结果。第五图系显示本发明中的坩锅回转速度与结晶中的氧浓度之关系。