发明名称 晶圆周边曝光装置
摘要 本发明系拟提供一种以使用形成阶梯状来曝光晶圆周边部用之装置而可曝光晶圆周边部成环状之小型又廉价之晶圆周边曝光装置者。为了达成该目的,本发明系如图l所示,将涂敷有抗蚀剂之晶圆W载置于旋转台RS上,并使之旋转一个回转来侦测晶圆W之载置状态及取向平面(orientaion flat)等之特异处,而依据该等之资讯来使晶圆W位于所定之位置。接着,从曝光(用)光出射部LOl予以照射曝光光之同时,由XY台XYS来移动旋转台RS,而以形成阶梯状来曝光晶圆周边部。又与上述同样,予以侦测晶圆W之载置状态及取向平面之特异处,以令晶圆W位于所定之位置。接着,从曝光光出射部LOl照射曝光光,且旋转旋转台RS来曝光晶圆W之周边部成环状。该时,以朝XY方向同时驱动XY台XYS来移动旋转台RS,使之晶圆W之中心位置不会产生变化。
申请公布号 TW392205 申请公布日期 2000.06.01
申请号 TW087116820 申请日期 1998.10.09
申请人 牛尾电机股份有限公司 发明人 三浦真悦;三村芳树
分类号 H01L21/027 主分类号 H01L21/027
代理机构 代理人 林志刚 台北巿南京东路二段一二五号七楼
主权项 1.一种晶圆周边曝光装置,主要具备有:旋转台,载置了晶圆且使该晶圆旋转台所用;XY台,移动上述旋转台对于晶圆面成平行,且互成正交(垂直相交)之2方向用;曝光(用)光照射机构,将照射领域之形状为对于对晶圆之曝光光为正交之扫描方向,朝着倾斜45之方向延伸,而照射领域之至少一端侧之轮廓具有直角之顶部,且形成正交之2边个别对于上述扫描方向成平行之曝光光照射于上述晶圆者;晶圆周缘位置侦测机构,侦测旋转之旋转台上之晶圆周缘之位置用;校准单元,侦测画在晶圆上之校准标记的位置用;及控制机构,依据上述晶圆周缘位置侦测机构之输出及校准单元之输出来驱动上述XY台之同时,予以旋转旋转台用,而曝光在周边部具有形状上之特异处,表面涂敷有光致抗蚀剂之半导体晶圆周边部用者,其特征为:上述控制机构具备有:第1运算机构,依据上述晶圆周缘位置侦测机构之输出来求出旋转台之旋转中心与晶圆中心之偏位置,和晶圆周缘之位置资讯,及被形成于晶圆周边部之特异处(点)之位置用;第2运算机构,依据由上述校准单元所侦测之校准标记之位置座标,和由上述第1运算机构所求出之偏位置,和晶圆周缘之位置资讯及特异处之位置来计算曝光晶圆周边部成阶梯状时之XY台之位置及旋转台之旋转角度用;及第3运算机构,依据预先所设定之从晶圆边缘算起之曝光宽度,和由上述第1运算机构所求出之偏位置,和晶圆周缘之位置资讯及特异处之位置,来曝光晶圆周边部成环状时,用以算出为使从晶圆之中心直至曝光光为止之距离能经常成为一定所需要之旋转台之旋转中心之位置座标用;而依据上述第2.第3之运算机构之输出来控制上述旋转台之位置及旋转角度成所定値,而照射来自上述曝光光光照射机构之曝光光至上述晶圆,以曝光晶圆周缘部成阶梯状或环状。2.如申请专利范围第1项之晶圆周边曝光装置,其中前述第3运算机构系在依据预先所设定之从晶圆边缘所算起之曝光宽度,和由上述第1运算机构所求出之偏位量,和晶圆周缘之位置资讯及特异处之位置,来曝光晶圆周边形成环状时,要求出在于以晶圆中心做为原点之晶圆座标系中之曝光开始时之旋转台之旋转中心的位置座标(Xo,Yo)之同时,以下面之式子来算出晶圆当旋转时之在于上述座标系中之上述旋转台之中心的座标(X,Y)者,X=Yocos+YosinY=Yocos-Xosin且依据上述第2运算机构之输出来控制上述旋转台之位置及旋转角度成所定値,并对于上述晶圆照射来自上述曝光光照射机构之曝光(用)光,以曝光晶圆周边部成阶梯状,而在旋转台旋转之时,予以驱动XY台来移动旋转台之中心至由上述第3运算机构所算出之结果的座标位置之同时,对于上述晶圆照射来自上述曝光光照射机构之曝光(用)光,以曝光晶圆周边部成环状。图式简单说明:第一图系显示本发明之实施例之晶圆曝光装置的概略结构图。第二图系说明晶圆周边部之环状曝光用之图(在于曝光开始位置之状态)。第三图系说明晶圆周边部之环状曝光用之图(在于旋转台旋转时之状态)。第四图系说明晶圆周边部之环状曝光用之图(在于移动旋转台时之状态)。第五图系说算算出式子(1)、(2)之根据用之图。第六图系显示晶圆之曝光领域和校准标记的图。第七图系显示曝光(用)光出射部之结构的一例子之图。第八图系显示校准单元结构的一例子图。第九图系显示CCD行察觉器结构的一例子图。第十图系显示晶圆周边部曝光装置之具体性结构例之图。第十一图系显示控制装置之结构图。第十二图系说明本发明之实施例的晶圆周边曝光装置之动作用的图。第十三图系说明本发明之实施例的晶圆周边曝光装置之动作用的图。第十四图系显示要曝光的晶圆周边部成阶梯状时之曝光步骤之一例子的图。第十五图系说明晶圆周边部之曝光领域用之图。
地址 日本
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