Verfahren zur Herstellung unterschiedlicher Silicidbereiche auf verschiedenen Silicium enthaltenden Gebieten in einem Halbleiterelement

摘要

Ein Verfahren ist offenbart, in dem unterschiedliche Metallschichten nacheinander auf Silicium enthaltenden Gebieten abgeschieden werden, so dass die Art und die Dicke der Metallschichten an spezifische Eigenschaften der darunterliegenden Silicium enthaltenden Gebiete angepasst werden kann. Anschließend wird eine Wärmebehandlung durchgeführt, um die Metalle in Metallsilicide umzuwandeln, um die elektrische Leitfähigkeit der Silicium enthaltenden Gebiete zu verbessern. Auf diese Weise können Silicidbereiche gebildet werden, die individuell an spezifische Silicium enthaltende Gebiete angepasst sind, so dass die Bauteilleistungsfähigkeit einzelner Halbleiterelemente oder die Gesamtleistungsfähigkeit mehrerer Halbleiterelemente deutlich verbessert werden kann. Ferner ist ein Halbleiterelement offenbart mit zumindest zwei Silicium enthaltenden Gebieten mit darin ausgebildeten unterschiedlichen Silicidbereichen, wobei zumindest ein Silicidbereich ein Edelmetall aufweist.