以高密度电浆化学气相沈积形成绝缘护层之改良制程

摘要

本发明提出一种形成积体电路绝缘护层(passivation)的改良制程，用以增进其与模制化合物(molding compound)之间的附着力而避免发生剥离，其施行两阶段高密度电浆化学气相沈积程序形成氧化层以作为绝缘护层，其中在第一阶段时刻意降低沈积/溅击比，使氧化层尽量填入基底的凹陷区中，而在第二阶段时则提高沈积/溅击比，以增加在平台区的沈积厚度而得到具明显高低起伏的表面构造，藉此增进与模制化合物之间的附着力。另外，也可以施行多阶段高密度电浆化学气相沈积程序来形成绝缘护层，其先以较低的沈积/溅击比进行沈积，然后逐次提高沈积/溅击比，亦能形成具高低起伏的表面构造而增进与模制化合物之间的附着力。

主权项

1.一种以高密度电浆化学气相沈积(HDPCVD)形成积体电路绝缘护层(passivation)之改良制程,包括下列步骤:提供一半导体基底,并在其上方形成所需电子元件而造成具有凹陷区和平台区的表面构造;施行第一阶段高密度电浆化学气相沈积(HDPCVD)程序,以形成一第一氧化层于上述电子元件表面上,其刻意调低沈积/溅击比(D/S ratio)而使第一氧化层尽量多填入该凹陷区中而少覆盖在该平台区表面上;提高沈积/溅击比而施行第二阶段电浆加强化学气相沈积程序,以形成一第二氧化层于第一氧化层表面上,藉此尽量增加在该平台区的沈积厚度而得到具明显高低起伏的表面构造共同构成一绝缘护层;以及于该平台区中制作出打线开口后,形成一模制化合物(molding compound)覆盖在该绝缘护层上,藉其高低起伏的表面构造增进二者间的附着力以防止发生剥离。2.如申请专利范围第1项所述一种以高密度电浆化学气相沈积形成积体电路绝缘护层之改良制程,其中第一阶段高密度电浆化学气相沈积程序的沈积/溅击比系介于2.5和3.0之间。3.如申请专利范围第1项所述一种以高密度电浆化学气相沈积形成积体电路绝缘护层之改良制程,其中第二阶段高密度电浆化学气相沈积程序的沈积/溅击比系介于6.0和7.0之间。4.如申请专利范围第1项所述一种以高密度电浆化学气相沈积形成积体电路绝缘护层之改良制程,其中该第一和第二氧化层系未掺杂之矽玻璃层(USG)。5.如申请专利范围第4项所述一种以高密度电浆化学气相沈积形成积体电路绝缘护层之改良制程,其中该第一氧化层的厚度系介于5000埃和6000埃之间。6.一种以高密度电浆化学气相沈积(HDPCVD)形成积体电路绝缘护层(passivation)之改良制程,包括下列步骤:提供一半导体基底,并在其上方形成所需电子元件而造成具有凹陷区和平台区的表面构造;施行多阶段高密度电浆化学气相沈积程序,以形成复数氧化层于上述电子元件表面上而构成绝缘护层,其中先以较低沈积/溅击比使氧化层尽量多填入该凹陷区中而少覆盖在该平台区表面上,然后逐次提高沈积/溅击比而增加氧化层在该平台区的沈积厚度,得到具明显高低起伏的表面构造;以及于该平台区中制作出打线开口后,形成一模制化合物(molding compound)覆盖在该绝缘护层上,藉其高低起伏的表面构造增进二者间的附着力以防止发生剥离。7.如申请专利范围第6项所述一种以高密度电浆化学气相沈积形成积体电路绝缘护层之改良制程,其中该多阶段高密度电浆化学气相沈积程序中最初的沈积/溅击比系介于2.5和3.0之间。8.如申请专利范围第6项所述一种以高密度电浆化学气相沈积形成积体电路绝缘护层之改良制程,其中该多阶段高密度电浆化学气相沈积程序中最后的沈积/溅击比系介于6.0和7.0之间。9.如申请专利范围第6项所述一种以高密度电浆化学气相沈积形成积体电路绝缘护层之改良制程,其中该复数氧化层系未掺杂之矽玻璃层(USG)。