| 主权项 |
1.一种选择性半球型矽晶粒之制造方法,包括:在一基底上形成一掺杂复晶矽层;于该掺杂复晶矽层之侧壁形成一非晶矽间隙壁;进行离子制程,以使该复晶矽层之表面非晶矽化;以及于该非晶矽化之该复晶矽层之表面与该非晶矽间隙壁之表面形成一选择性半球型矽晶粒层。2.如申请专利范围第1项所述之选择性半球型矽晶粒之制造方法,其中该离子植入制程系将重原子物种植入于该复晶矽层之表面以使其非晶矽化。3.如申请专利范围第2项所述之选择性半球型矽晶粒之制造方法,其中该重原子物种包括砷。4.如申请专利范围第2项所述之选择性半球型矽晶粒之制造方法,其中该重原子物种包括氩。5.如申请专利范围第2项所述之选择性半球型矽晶粒之制造方法,其中该重原子物种包括锑。6.如申请专利范围第1项所述之选择性半球型矽晶粒之制造方法,其中该离子植入制程之植入能量系足以使距离该掺杂复晶矽层之一上表面约为500-1500之该掺杂复晶矽层完全非晶矽化者。7.一种电容器之下电极的制造方法,包括:在一基底上形成一介电层,该介电层具有一接触窗开口,裸露出部份该基底;于该介电层之该接触窗开口中以及部份该介电层上形成一掺杂复晶矽层;于该掺杂复晶矽层之侧壁形成一非晶矽间隙壁;进行离子植入制程,以使该复晶矽层之表面非晶矽化;以及于该非晶矽化之该复晶矽层之表面与该非晶矽间隙壁之表面形成一选择性半球型矽晶粒。8.如申请专利范围第7项所述之电容器之下电极的制造方法,其中该离子植入制程系将重原子物种植入于该复晶矽层之表面以使其非晶矽化。9.如申请专利范围第8项所述之电容器之下电极的制造方法,其中该重原子物种包括砷。10.如申请专利范围第8项所述之电容器之下电极的制造方法,其中该重原子物种包括氩。11.如申请专利范围第8项所述之电容器之下电极的制造方法,其中该重原子物种包括锑。12.如申请专利范围第7项所述之电容器之下电极的制造方法,其中该离子植入制程之植入能量系足以使距离该掺杂复晶矽层之上表面约为500-1500之该掺杂复晶矽层完全非晶矽化者。13.如申请专利范围第7项所述之电容器之下电极的制造方法,其中该掺杂复晶矽层之形状包括圆柱形。图示简单说明:第一图A至第一图B系绘示习知一种电容器之下电极的制造流程剖面示意图;以及第二图A至第二图E系绘示根据本发明之一较佳实施例,一种电容器之下电极的制造流程剖面示意图。 |
