发明名称 基板两面形成磁性薄膜之真空镀膜方法及其实施用之机构
摘要 本发明之目的是改善所制成之磁性薄膜之磁性特性之面内分布,藉以改善磁性记录媒体等之性能。本发明之解决手段是设置一对互相面对之阴极1使其包夹基板2,该对阴极l之构成包含有:靶标ll,由磁性材料所制成;和磁铁12,用来设定使磁力线通过该靶标ll朝向基板2漏出之磁场。各个磁铁12之磁场对基板2之垂直旋转轴41形成非对称状,在该旋转轴41之周围设有旋转驱动机构4用来使各个磁铁12进行旋转。该旋转驱动机构4用来使各个磁铁12以相同之旋转速度进行旋转,而且从垂直基板2之一方向看时,形成依相同之方向进行旋转。
申请公布号 TW399102 申请公布日期 2000.07.21
申请号 TW085109413 申请日期 1996.07.30
申请人 安内华股份有限公司 发明人 栗田行树;山田直树;渡边直树
分类号 C23C14/36 主分类号 C23C14/36
代理机构 代理人 赖经臣 台北巿南京东路三段三四六号一一一二室
主权项 1.一种镀膜方法,利用磁控管镀膜用来在基板之两面进行磁性薄膜之成膜;其特征是:各个磁控管阴极之磁铁组合体在靶标上设定对基板之垂直旋转轴形成非对称之磁场分布,然后使互相面对之一对之磁控管阴极之磁铁组合体以相同之旋转速度依相同之方向进行旋转。2.一种镀膜方法,利用磁控管镀膜用来在基板之两面进行磁性薄膜之成膜;其特征是:各个磁控管阴极之磁铁组合体在靶标上设定对基板之垂直旋转轴形成非对称之磁场分布,将互相面对之一对之磁控管阴极之磁铁组合体之相位差设定成在基板之径方向具有均一之磁性薄膜之保磁力分布,然后使磁铁组合体以相同之旋转速度依相同之方向进行旋转。3.如申请专利范围第2项之镀膜方法,其中将该磁铁组合体之相位差设定为180度。4.如申请专利范围第1或2项之镀膜方法,其中在成膜中将偏压电压施加到基板。5.如申请专利范围第1或2项之镀膜方法,其中在磁铁组合体之旋转中,检测各个磁铁组合体之旋转速度或相位差或其双方,藉以控制各个磁铁组合体之旋转速度。6.一种镀膜机构,利用磁控管镀膜用来在基板之两面进行磁性薄膜之成膜,其包含:一对之磁控管阴极(1)之磁铁组合体(12),其系互相面对而设置;一旋转驱动机构(4),用来旋转各个该磁铁组合体(12);其特征在于,其又包含一共同之控制部(6),用来控制该旋转驱动机构(4);及其又具有检测机构(5),用来独立地检测各个该磁铁组合体(12)之旋转速度和旋转角度。7.如申请专利范围第6项之镀膜机构,其中上述之控制部(6)之构成包含有:脉波控制驱动器(61),用来将脉波驱动信号发送到各个旋转驱动机构;驱动控制器(62),用来对脉波控制驱动器发送控制信号;可程式控制器(63),用来设定旋转之条件藉以将其发送到驱动控制器;和时钟信号振荡器(64),用来对各个脉波控制驱动器供给时钟信号脉波。8.如申请专利范围第6项之镀膜机构,其中该旋转驱动机构(4)是伺服马达或步进马达。图示简单说明:第一图是概略图,用来表示本实施形态之镀膜机构。第二图(a)是剖面图,用来表示磁铁组合体所产生之磁力线和靶标之侵蚀形状。第二图(b)是剖面图,用来表示磁铁组合体所产生之磁力线和靶标之侵蚀形状。第二图(c)是剖面图,用来表示磁力线和靶标之侵蚀形状。第三图之图形用来表示对基板之圆周方向之保磁力分布。第四图(a)之图形表示本发明之实施形态之成膜中,一定之偏压电压和电流,电力之变动。第四图(b)之图形表示习知例之成膜中,一定之偏压电压和电流,电力之变动。第五图是本发明之实施形态和习知例之硬碟之保磁力分布和调变特性之比较表。第六图是概略平面图,用来表示组合有本发明之实施形态之机构之线内镀膜装置。第七图(a)是平面图,用来表示本发明之实施形态之机构之另一磁铁组合体。第七图(b)是平面图,用来表示本发明之实施形态之机构之另一磁铁组合体。第七图(c)是平面图,用来表示本发明之实施形态机构之另一磁铁组合体。第八图是概略图,用来表示习知之两面镀膜机构。第九图之图形用来表示保磁力分布对相位差之相关性。第十图(a)是模式图,用来表示一对之磁铁组合体以同方向旋转时之相位差之偏移。第十图(b)是模式图,用来表示一对之磁铁组合体之反方向旋转。
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