| 主权项 |
1.一种物理蒸气沈积处理室,其包含一阴极目标、一与该目标呈间隔并相对之基体支撑座、一阳极屏蔽件、及一对设置在目标后方的磁铁,其改良包含一设于该阳极屏蔽件之目标延伸件,该目标延伸件具有与该目标相同之电压,该目标维持一邻近于该目标表面之电浆区,以及约束电子于电浆区域中。2.一种减少物理蒸气沈积处理室中维持电浆所需压力的方法,其包含提供一个接触于该目标之目标延伸件,及一环绕该目标延伸件之阳极,该目标延伸件维持一邻近于该目标表面之电浆区,以及约束电子于电浆区域中。3.一种改良藉由喷镀充填基质中高纵横尺寸比之开口的方法,其包含一接触于该目标及设于一阳极屏蔽件内之喷镀目标延伸件,该阳极屏蔽件产生一邻近于该目标表面之电浆区,以及约束电子于电浆区域中,藉此减少维持电浆所需压力并减少被喷镀物质的散射,因此增加垂直撞击基体之被喷镀颗粒的数目。4.根据申请专利范围第3项之方法,其中目标延伸件带负电荷。图示简单说明:第一图为习知技术之物理蒸气沈积处理室的概要图,该处理室中具有屏蔽件;第二图为利用习知技术之物理蒸气沈积处理室之基体内部分经充填的开口的截面图;第三图为说明本发明之物理蒸气沈积处理室区域的概要图。 |
